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onsemi SuperFET®-V-MOSFETs

Die SuperFET® -V-MOSFETs von onsemi sind Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFETs der 5. Generation. Diese Bauteile liefern eine erstklassige Gütezahl (FoMs) (RDS(ON)· QG und RDS(ON)· EOSS) zur Verbesserung des Wirkungsgrads nicht nur bei schwerer Last sondern auch bei geringer Last. Die 600-V-SuperFET-V-MOSFETs bieten Designvorteile durch reduzierte Leitungs- und Schaltverluste und unterstützen gleichzeitig extreme MOSFET-dVDS/dt-Werte bei 120 V/ns. Die schnelle SuperFET-V-MOSFET-Baureihe trägt zur Maximierung des Systemwirkungsgrads und der Leistungsdichte bei. Die SuperFET-V-MOSFET-Easy Drive-Baureihe kombiniert eine hervorragende Schaltleistung ohne die Benutzerfreundlichkeit für harte und weiche Schalttopologien zu beeinträchtigen. Zu den typischen Applikationen gehören Telekommunikation, Cloud-System und Industrie.

Merkmale

  • Niedrige Schaltverluste
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Drain-Source-Spannung: 600 VDSS
  • 650 V bei TJ = 150 °C
  • Guter Systemwirkungsgrad
  • RoHS-konform
  • NTHL041N60S5H Leistungs-MOSFET:
    • Schnelle Schaltleistung mit robuster Body-Diode
    • Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg): 108 nC (typisch)
    • Niedrige effektive Ausgangskapazität: 643 pF (typisch)
    • RDS(on): 32,8 mΩ (typisch)
  • NTHL099N60S5 Leistungs-MOSFET:
    • Optimierte Kapazität
    • Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg): 48 nC (typisch)
    • Niedrige zeitbezogene Ausgangskapazität: 642 pF (typisch)
    • RDS(on): 79,2 mΩ (typisch)

Applikationen

  • Telekommunikation
  • Server-Netzteile
  • Cloud-System
  • USV
  • Industrienetzteile
  • EV-Ladegerät

Datenblätter

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Teilnummer Datenblatt Id - Drain-Gleichstrom Pd - Verlustleistung Qg - Gate-Ladung Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Rds On - Drain-Source-Widerstand Anzahl der Kanäle Transistorpolung Technologie Montageart RoHS - Mouser
NTHL099N60S5 NTHL099N60S5 Datenblatt 33 A 184 W 48 nC - 30 V, 30 V 4 V 600 V 99 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole E
NTD280N60S5Z NTD280N60S5Z Datenblatt 13 A 89 W 17.9 nC - 20 V, 20 V 4 V 600 V 280 mOhms 1 Channel N-Channel Si SMD/SMT Y
NTHL120N60S5Z NTHL120N60S5Z Datenblatt 28 A 160 W 40 nC - 20 V, 20 V 4 V 600 V 120 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole Y
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H Datenblatt 57 A 329 W 108 nC - 30 V, 30 V 4.3 V 600 V 41 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole E
NTMT061N60S5H NTMT061N60S5H Datenblatt 41 A 250 W 73.6 nC 30 V 4.3 V 600 V 61 mOhms 1 Channel N-Channel Si SMD/SMT Y
Veröffentlichungsdatum: 2021-08-27 | Aktualisiert: 2025-10-06