onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET NVD5867NL von onsemi verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V und einen maximalen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen RDS_(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit. Der n-Kanal-MOSFET NVD5867NL ist mit Avalanche-Energie spezifiziert, gemäß AEC-Q101 zugelassen und PPAP-fähig. Dieser n-Kanal-MOSFET ist frei von Blei sowie Halogenen/BFR und ist RoHS-konform. Zu den typischen Anwendungen gehören Magnet-/Relais-Treiber für Fahrzeuge, Lampentreiber für Fahrzeuge, Motortreiber für Fahrzeuge, Ausgangs-Treiber für DC-DC-Wandler in Fahrzeugen und Infotainment-Systeme für Fahrzeuge.