onsemi NTMFS0D8N02P1E n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der MOSFET NTMFS0D8N02P1E von onsemi zeichnet sich durch ein kompaktes Design, hervorragende thermische Leistung und ein kleines Footprint in einem fortschrittlichen SO-8FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm aus. Dieser Einzel-n-Kanal-MOSFET bietet eine niedrige QG/geringe Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste und liefert einen extrem niedrigen RDS(on) zur Minimierung der Leitungsverluste. Der MOSFET NTMFS0D8N02P1E von onsemi eignet sich hervorragend für DC/DC-Wandler, Lastschalter, Motorsteuerungen, Batteriemanagement, Notebooks und Desktop-PCs, Server, Telekommunikation, Computer und Kommunikationgeräte.

Merkmale

  • Kleiner Footprint von 5 mm x 6 mm für ein kompaktes Design mit fortschrittlicher SO-8FL-Technologie
  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Hervorragende thermische Eigenschaften
  • Geringe QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
  • Bleifreies, halogenfreies/BFR-freies, und RoHs-konformes Bauteil

Applikationen

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungslastschalter
  • Motorsteuerung
  • Batteriemanagement
  • Notebooks und Desktop-PCs
  • Telekommunikation und Server
  • Datenverarbeitung und Kommunikationsgeräte

Konfiguration

Schaltplan - onsemi NTMFS0D8N02P1E n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2020-07-01 | Aktualisiert: 2024-05-23