onsemi NCV8405A/B Selbstgeschützte Low-Side-Treiber
onsemi NCV8405A und NCV8405B Selbstgeschützte Low-Side-Treiber sind vollständig selbstgeschützte Smart-Low-Side-MOSFET-Treiber, die für eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Automotive- und Industrieumgebungen ausgelegt sind. Diese Bauteile mit drei Bauteilen verfügen über umfangreiche Schutzfunktionen, darunter eine Kurzschluss-Sicherung, eine thermische Abschaltung mit automatischem Neustart, einen Überspannungsschutz durch interne Drain-Gate-Klemmung, ESD-Schutz und eine hohe dV/dt-Robustheit, wodurch die NCV8405A und NCV8405B Treiber von onsemi unter elektrisch anspruchsvollen Bedingungen äußerst widerstandsfähig sind.
Diese Treiber unterstützen die Logikschaltungsfunktion (analog) und ermöglichen so eine einfache Anbindung an Mikrocontroller und andereSpannungsregelungsschaltungen mit niedriger Spannung. Als AEC‑Q101‑qualifizierte Bauteile erfüllen die NCV8405A und NCV8405B die strengen Automotive-Zuverlässigkeitsnormen und werden in blei- sowie halogenfreien und RoHS‑konformen Gehäusen angeboten.
Elektrisch gesehen verfügen beide Versionen über eine geklemmte Drain-Quellen-Durchschlagspannung von 42 V, einen typischen RDS(on) von 90 mΩ bei VGS = 10 V und eine Strombelastbarkeit von bis zu 6 A, die intern basierend auf den Eingangsbedingungen begrenzt wird. Die Robustheit wird zusätzlich durch eine Einzelimpuls-Avalancheenergie von 275 mJ erhöht, die sich zum Schalten von resistiven, induktiven oder kapazitiven Lasten eignet. Die in SOT‑223- und DPAK-Gehäusen erhältlichen NCV8405A und NCV8405AB Bauteile bieten kompakte und thermisch effiziente Optionen zum Ersetzen von elektromechanischen Relais oder diskreten Schaltungen in einer großen Auswahl von Automotive- und Industrieapplikationen.
Merkmale
- Kurzschlussschutz
- Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart
- Überspannungsschutz
- Integrierte Klemme für induktive Schaltung
- ESD-Schutz
- dV/dt-Robustheit
- Intern begrenzter Dauersenkenstrom
- Analoge Ansteuerungsfunktion (Logikschaltung)
- DPAK- und SOT-223-Gehäuseoptionen
- NCV-Präfix für Fahrzeuganwendungen und andere Applikationen mit besonderen Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen, AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Blei-, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Schalten von verschiedenen resistiven, induktiven und kapazitiven Lasten
- Ersetzt Elektromechanik-Relais und diskrete Schaltungen
- Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen
Technische Daten
- Intern begrenzte Drain-Source-Spannung von 42 V (max.)
- Intern begrenzte Drain-Gate-Spannung von 42 V (max.)
- Maximale Gate-Source-Spannung von ±14 V
- Verlustleistung:
- 2,0 W bis 40 W für das DPAK
- 1,0 W bis 11,4 W für das SOT-223
- Maximale Einzelimpuls-Avalancheenergie zwischen Drain und Source: 275 mJ
- Maximale Lastabwurfspannung: 53 V
- AUS-Eigenschaften
- Drain-Quellen-Durchschlagspannungsbereich: 42 V bis 51 V
- Null-Gate-Spannungs-Drainstrombereich: 2,0 µA bis 10 µA
- Maximaler Eingangsstrom am Gate: 100 µA
- EIN-Eigenschaften
- Gate-Schwellenspannungsbereich von 1,0 V bis 2,0 V
- Typischer Gate-Schwellenwert-Temperaturkoeffizient: 4,0 mV/°C
- Maximaler statischer Bereich von 100 mΩ bis 210 mΩ für den Drain-to-Source-On-Widerstandsbereich
- 1,05 V Source-Drain-Durchlassspannung: 1,05 V (typisch)
- Schalt-
- Typische Einschaltzeit: 20 µs
- Typische Ausschaltzeit: 110 µs
- Typische Anstiegsgeschwindigkeit bei Ein: 1 V/µs
- Typische Anstiegsgeschwindigkeit bei Aus: 0,4 V/µs
- Selbstschutzeigenschaften
- Strombegrenzungsbereich von 3,0 A bis 13 A
- Temperaturbegrenzungsbereich (Abschaltbereich): +150 °C bis +200 °C mit 15 °C Hysterese bei 5 V
- Temperaturbegrenzungsbereich (Abschaltbereich): +150 °C bis +185 °C mit 15 °C Hysterese bei 10 V
- Gate-Eingangseigenschaften
- Typischer Eingangsstrombereich des Gates bei eingeschaltetem Gerät von 50 µA (5 V) bis 400 µA (10 V)
- Typischer Eingangsstrombegrenzungsbereich des Gates 0,05 mA (5 V) bis 0,4 mA (10 V)
- Typischer Eingangsstrombereich des thermischen Fehlerbegrenzungsgates: 0,22 mA (5 V) bis 1,0 mA (10 V)
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich zwischen -40 °C und +150 °C
- Minimum ESD-Schutz
- 4.000 V Human-Body-Modell (HBM)
- 400 V Maschinenmodell (MM)
Schaltschema
