onsemi NCP81075 Dual-MOSFET-Gate-Treiber
Der onsemi NCP81075 Dual-MOSFET-Gate-Treiber ist zur Ansteuerung von High-Side- und Low-Side-Leistungs-MOSFETs in einem synchronen Abwärtswandler ausgelegt. Der NCP81075 enthält einen Treiber-IC und eine On-Chip-Bootstrap-Diode, wodurch die Notwendigkeit für eine externe diskrete Diode entfällt. Ein potentialfreies Top-Treiber-Design ermöglicht eine HB-Spannung von bis zu 180 V. Low-Side und High-Side werden unabhängig voneinander gesteuert und sind zwischen ihrem jeweiligen Ein- und Ausschalten auf bis zu 4 ns aufeinander abgestimmt. Fällt die Antriebsspannung unter einen bestimmten Schwellenwert, setzt eine unabhängige Unterspannungssperre, die für den High-Side- und Low-Side-Treiber bereitgestellt wird, den Ausgang auf Niedrig. Der NCP81075 wird in bleifreien, halogen-/BFR-freien und RoHS-konformen SOIC-8-, DFN8- und WDFN10-Gehäusen für Design-Flexibilität angeboten.Merkmale
- Steuert zwei n-Kanal-MOSFETs in High-Side und Low-Side an
- Integrierte Bootstrap-Diode für den High-Side-Gate-Treiber
- Bootstrap-Versorgungsspannungsbereich von bis zu 180 V
- 4 A Quellen-, 4 A Senken-Ausgangsstrombelastbarkeit
- Treibt mit typischen Anstiegs- und Abfallzeiten von 8 ns/7 ns eine Last von 1 nF an
- Großer Versorgungsspannungsbereich von 8,5 V bis 20 V
- Schnelle Laufzeitverzögerung: 20 ns (typisch)
- Verzögerungsanpassung: 2 ns (typisch)
- Anstiegszeit von 8 ns/Abfallzeit von 7 ns mit einer Last von 1.000 pF
- Schaltfrequenz von bis zu 1 MHz
- Unterspannungssperre (UVLO) für Antriebsspannung
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +140 °C
- Gehäuseoptionen: SOIC-8, DFN8, WDFN10
- Bleifrei
- Halogenfrei/BFR-frei
- RoHS-konform
Applikationen
- Abwärtswandler
- Telekommunikation und Datenkommunikation
- Isolierte Netzteile
- Audioverstärker der Klasse D
- Durchflusswandler mit zwei Schaltern und aktiver Klemme
- Solar-Optimizer
Applikationsdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2018-01-25
| Aktualisiert: 2024-05-10
