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onsemi NCD57080 Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber

Die isolierten Hochstrom-Gate-Treiber NCD57080 von onsemi sind einkanalige Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit interner galvanischer Trennung von 3,75 kVrms. Diese Gate-Treiber sind für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit bei Hochstromanwendungen konzipiert. Die Treiber der Baureihe NCD57080 zeichnen sich durch kurze Laufzeitverzögerungen mit präziser Anpassung, eine hohe transiente und elektromagnetische Immunität, breite Vorspannungsbereiche und einen breiten Eingangsspannungsbereich aus. Die isolierten Hochstrom-Gate-Treiber NCD57080 von onsemi verbessern den Systemwirkungsgrad und die PWM-Signalqualität und bieten Flexibilität beim Systemdesign. Zu den typischen Anwendungen gehören unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Motorsteuerungen, industrielle Stromversorgungen, HLK und Solarumrichter.

Die isolierten Hochstrom-Gate-Treiber NCD57080 von onsemi eignen sich für einen breiten Eingangsvorspannungsbereich und Signalpegel von 3,3 V bis 20 V. Diese Bauteile sind in einem schmalen SOIC-8-Gehäuse erhältlich.

Merkmale

  • Hoher Spitzenstrom (±6,5 A)
  • Der niedrige Klemmspannungsabfall beseitigt die Notwendigkeit einer negativen Stromversorgung, um ein störendes Einschalten des Gate zu verhindern (nur beim NCD57080A)
  • Kurze Laufzeitverzögerungen mit präziser Anpassung
  • IGBT-Gate-Klemme während Kurzschluss
  • Aktiver IGBT-Gate-Pulldown
  • Präzise UVLO-Schwellenwerte für Vorspannungsflexibilität
  • Breiter Vorspannungsbereich, einschließlich negativer VEE2 (NCD57080B)
  • Logikeingang: 3,3 V, 5,0 V, und 15,0 V
  • Galvanische Trennung 75 kVrms
  • Hohe transiente Immunität
  • Hohe Beständigkeit gegen elektromagnetische Störungen
  • Kompaktes, schmales SOIC-8-Gehäuse
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • USV
  • Motorsteuerung
  • Industrienetzteile
  • HLK
  • Solarumrichter

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Veröffentlichungsdatum: 2020-05-28 | Aktualisiert: 2024-05-23