onsemi MMUN2231L NPN Bipolarer Digitaltransistor

Der onsemi MMUN2231L NPN Bipolartransistor ist als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und sein externes Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstands-Transistor (BRT) besteht aus einem einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk. Dieser BRT besteht aus zwei Widerständen, einem Serienbasiswiderstand (2,2 kΩ) und einem Basis-Emitter-Widerstand (2,2 kΩ) und integriert sie in einem einzigen Bauteil. Der BRT reduziert die Komponentenanzahl und den Boardplatz und vereinfacht das Schaltungsdesign. Dieser BRT ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Der BRT ist blei- und halogen-/BFR-frei und RoHs-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Batterie-Verpolungsschutz, DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber und Hochgeschwindigkeitsschaltung.

Merkmale

  • Vereinfacht das Schaltungsdesign
  • Reduziert die Boardfläche
  • Reduziert die Komponentenanzahl
  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Blei- und halogenfrei/BFR-frei
  • RoHS-konform

Technische Daten

  • Eingangswiderstände: 2,2 kΩ
  • 100 mADC Kollektorstrom
  • 10 VDC Eingangssperrspannung
  • 12 VDC Eingangsdurchlassspannung
  • 50 VDC Kollektor-Basis- (VCBO) und Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO)

Applikationen

  • Batterie-Verpolungsschutz
  • DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten

Pin-Anschlüsse

onsemi MMUN2231L NPN Bipolarer Digitaltransistor
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-13 | Aktualisiert: 2024-01-05