onsemi FGHL40T65MQDT Field-Stop-Trench-IGBT

Der onsemi FGHL40T65MQDT Field-Stop-Trench-IGBT ist eine IGBT-Technologie der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit, die mit einer vollständigen Nennstromdiode bestückt ist. Die Funktionen umfassen eine weiche und optimierte Schaltung, eine hohe Strombelastbarkeit und eine enge Parameterverteilung. Dieser IGBT wird bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175 °C betrieben. Applikationen umfassen Solarwechselrichter, UVS, ESS, PFC und Wandler.

Merkmale

  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C TJ
  • Positiver Temperaturkoeffizient für einen einfachen, parallelgeschalteten Betrieb
  • Hohe Strombelastbarkeit
  • Geringe Sättigungsspannung:
    • VCE(sat) = 1,45 V (typisch) bei IC = 40 A
  • 100 % der Bauteile sind auf ILM getestet (Hinweis 2)
  • Weiche und optimierte Schaltung
  • Enge Parameterverteilung
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Solarwechselrichter
  • UVS und ESS
  • PFC und Wandler

Gate-Eigenschaften

Leistungsdiagramm - onsemi FGHL40T65MQDT Field-Stop-Trench-IGBT
Veröffentlichungsdatum: 2022-03-29 | Aktualisiert: 2022-10-13