onsemi FFSP SiC-Schottky-Dioden

onsemi FFSP SiC-Schottky-Dioden (Siliziumkarbid) nutzen die Vorteile von Siliziumkarbid-Bauteilen gegenüber Nur-Silizium-(Si)-Bauteilen in vollem Umfang und bieten eine erheblich höhere Überstromfestigkeit, einen geringeren Rest-Sperrstrom und keinen Sperrverzögerungsstrom. Diese SiC-Schottky-Dioden verfügen außerdem über temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistungsfähigkeit. Dies führt zu einem verbesserten System-Wirkungsgrad, schnellerer Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter EMI, kleinerer Systemgröße und niedrigeren Kosten.

Die FFSP SiC-Schottky-Dioden sind in einem Industriestandard-TO-220-2L-Gehäuse verfügbar. Dadurch können sie von Designern als Drop-in-Ersatz für Silizium-Gegenstücke verwendet werden, wodurch mit minimalen Systemänderungen sofort höhere Wirkungsgrade sowie niedrigere Betriebstemperaturen erzielt werden können.

Merkmale

  • SiC bietet eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit
  • Hohe Überstromfestigkeit
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • Keine Sperrverzögerung
  • Keine Durchlassverzögerung
  • Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
  • Vereinfachte Parallelschaltung
  • TO-220-2L-Industriestandard-Gehäuse

Applikationen

  • Leistungsfaktorkorrektoren (PFC)
  • Industrielle Leistung
  • Solaranlagen
  • EV-Ladegeräte
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Teilnummer If - Durchlassstrom Ifsm - Durchlass-Stoßstrom Datenblatt
FFSP1265A 12 A 70 A FFSP1265A Datenblatt
FFSP0865A 8 A 49 A FFSP0865A Datenblatt
FFSP1065A 10 A 56 A FFSP1065A Datenblatt
FFSP1665A 16 A 90 A FFSP1665A Datenblatt
FFSP08120A 8 A 68 A FFSP08120A Datenblatt
FFSP15120A 15 A 115 A FFSP15120A Datenblatt
FFSP2065A 20 A 105 A FFSP2065A Datenblatt
FFSP20120A 20 A 135 A FFSP20120A Datenblatt
FFSP3065A 30 A 150 A FFSP3065A Datenblatt
FFSP1065B 10 A 45 A FFSP1065B Datenblatt
Veröffentlichungsdatum: 2018-01-25 | Aktualisiert: 2022-10-18