onsemi FFSP SiC-Schottky-Dioden
onsemi FFSP SiC-Schottky-Dioden (Siliziumkarbid) nutzen die Vorteile von Siliziumkarbid-Bauteilen gegenüber Nur-Silizium-(Si)-Bauteilen in vollem Umfang und bieten eine erheblich höhere Überstromfestigkeit, einen geringeren Rest-Sperrstrom und keinen Sperrverzögerungsstrom. Diese SiC-Schottky-Dioden verfügen außerdem über temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistungsfähigkeit. Dies führt zu einem verbesserten System-Wirkungsgrad, schnellerer Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter EMI, kleinerer Systemgröße und niedrigeren Kosten.Die FFSP SiC-Schottky-Dioden sind in einem Industriestandard-TO-220-2L-Gehäuse verfügbar. Dadurch können sie von Designern als Drop-in-Ersatz für Silizium-Gegenstücke verwendet werden, wodurch mit minimalen Systemänderungen sofort höhere Wirkungsgrade sowie niedrigere Betriebstemperaturen erzielt werden können.
Merkmale
- SiC bietet eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit
- Hohe Überstromfestigkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient
- Keine Sperrverzögerung
- Keine Durchlassverzögerung
- Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
- Vereinfachte Parallelschaltung
- TO-220-2L-Industriestandard-Gehäuse
Applikationen
- Leistungsfaktorkorrektoren (PFC)
- Industrielle Leistung
- Solaranlagen
- EV-Ladegeräte
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| Teilnummer | If - Durchlassstrom | Ifsm - Durchlass-Stoßstrom | Datenblatt |
|---|---|---|---|
| FFSP1265A | 12 A | 70 A | ![]() |
| FFSP0865A | 8 A | 49 A | ![]() |
| FFSP1065A | 10 A | 56 A | ![]() |
| FFSP1665A | 16 A | 90 A | ![]() |
| FFSP08120A | 8 A | 68 A | ![]() |
| FFSP15120A | 15 A | 115 A | ![]() |
| FFSP2065A | 20 A | 105 A | ![]() |
| FFSP20120A | 20 A | 135 A | ![]() |
| FFSP3065A | 30 A | 150 A | ![]() |
| FFSP1065B | 10 A | 45 A | ![]() |
Veröffentlichungsdatum: 2018-01-25
| Aktualisiert: 2022-10-18

