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onsemi 40-V-Leistungs-MOSFETs

onsemi 40-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über eine Standard-Gate-Pegeltechnologie und einen erstklassigen On-Widerstand. Die MOSFETs von onsemi sind für Motortreiber-Applikationen ausgelegt. Die Bauteile reduzieren Leitungs- und Antriebsverluste wirksam mit niedrigem On-Widerstand und reduzierter Gate-Ladung. Darüber hinaus bieten die MOSFETs eine ausgezeichnete Weichheitskontrolle für die Sperrverzögerung der Body-Dioden, wodurch die Belastung der Spannungsspitzen wirksam reduziert wird, ohne dass eine zusätzliche Snubber-Schaltung in Applikationen erforderlich ist.

Merkmale

  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Niedriger Qrr mit sanfter Wiederherstellung zur Minimierung von ERR-Verlusten und Spannungsspitzen
  • Niedriger Qg und niedrige Kapazität zur Minimierung rung von Antriebs- und Schaltverlusten
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • DC/DC-Wandlung mit hoher Schaltfrequenz
  • Synchrongleichrichtung

Blockdiagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi 40-V-Leistungs-MOSFETs

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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G Datenblatt 40 V 509 A 420 uOhms
NTMFS0D5N04XLT1G NTMFS0D5N04XLT1G Datenblatt 40 V 455 A 490 uOhms
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G Datenblatt 40 V 380 A 570 uOhms
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G Datenblatt 40 V 278 A 900 uOhms
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G Datenblatt 40 V 233 A 1.05 mOhms
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G Datenblatt 40 V 195 A 1.3 mOhms
NTMFS2D3N04XMT1G NTMFS2D3N04XMT1G Datenblatt 40 V 111 A 2.35 mOhms
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G Datenblatt 80 V 181 A 2.1 mOhms
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G Datenblatt 80 V 135 A 3 mOhms
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G Datenblatt 40 V 414 A 520 uOhms
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-16 | Aktualisiert: 2025-09-30