onsemi Lösungen für die Energieinfrastruktur
Die Energieinfrastrukturlösungen von onsemi adressieren die Landschaft für Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, die sich schnell entwickelt, um die von der Regierungspolitik gesetzten Ziele zu erfüllen und den Verbrauch zu erhöhen. Erhöhte Effizienzziele, Reduzierung der CO2-Emissionen und der Fokus auf erneuerbare und saubere Energie sind Schlüsselfaktoren für diese Entwicklung der Energieinfrastruktur. onsemi bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Lösungen für die anspruchsvollen Anforderungen von Hochleistungsapplikationen, einschließlich Siliziumkarbid-Dioden (SiC), intelligenten Leistungsmodulen und Strommessverstärkern.
Solar-Wechselrichter
Solarstrommodule sind eine der häufigsten kommerziellen und privaten Möglichkeiten zur Erzeugung erneuerbarer Energien. Die Herausforderung dieser erneuerbaren Energie ist eine variable Energiequelle in ein standardisiertes elektrisches Netzwerk zu integrieren. Solar-Wechselrichter spielen eine entscheidende Rolle bei der Gleichrichtung des Gleichstrom-Solarmoduls in ein Wechselstromnetz. Zusätzlich zur effizienten AC/DC-Wandlung werden Solar-Wechselrichter häufig zur Überwachung der nichtlinearen Reaktion von Photovoltaik-Dioden verwendet, um sicherzustellen, dass die maximale Leistung erzeugt wird. onsemi bietet eine komplette Lösung für das Erfassen, Schützen und Steuern von Energie von der Zelle bis zum Netz.
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Eine unterbrechungsfreie Stromversorgung ist für digitale Netzwerke wichtig, die zeit- und datenabhängig sind. Rechnerische Analyse, Datenspeicherung und -verteilung, Telekommunikationssysteme und sogar ausgewählte Städte sind alle auf eine konstante Energiequelle angewiesen, die durch eine USV gewährleistet wird. Diese schützenden Stromquellen sind üblicherweise in den Stromfluss integriert. Dies stellt sicher, dass die Batterie oder andere Speichergeräte ständig überwacht und aktiviert werden, so dass die USV im Falle eines Systemausfalls volle Unterstützung hat. Diese Überwachung, Aufladung und AC/DC-Gleichrichtung erfordert Silizium, das auch bei Zuständen mit hohem Strom leistungsfähig und effizient ist. onsemi bietet eine komplette, energieeffiziente Lösung, bei der die Stromzufuhr unabhängig von einem Stromausfall gesteuert und umgewandelt wird.
Ladestationen für Elektrofahrzeuge
Ladestationen für Elektrofahrzeuge sind die wichtigsten Komponenten für die Infrastruktur von Elektrofahrzeugen. Im Gegensatz zur Solarumwandlung oder zur Notstromversorgung sind EV-Ladestations-Applikationen eine Herausforderung. Diese Stationen müssen in der Lage sein, in einem standardisierten Format zu kommunizieren und Energie zu übertragen, was eine große Anpassungsfähigkeit und Nutzung ermöglicht. Neben der Komplexität von Schnellladezeit und effizienter AC/DC-Gleichrichtung benötigen EV-Ladestationen auch Sicherheit und interaktive Funktionen für den Endbenutzer. onsemi bietet eine Komplettlösung, die schnell und nahtlos elektrische Energie an die Elektrofahrzeuge überträgt.
Hochstrom-Gate-Treiber
Die NCD570x IGBT-Gate-Treiber von onsemi sind leistungsstarke Hochstromgeräte für Hochleistungsapplikationen wie Solar-Wechselrichter, Motorsteuerung und UPS. Diese Gate-Treiber sind hochintegriert, bietet eine kostengünstige Lösung durch Eliminierung vieler externer Komponenten und der Integrierung von Schutzfunktionen.
Strommessverstärker
Die Überwachung des Stromverbrauchs liefert wichtige Informationen, die die Sicherheits- und Diagnosefunktionen eines Systems unterstützen. onsemi bietet Strommessverstärker, die externe Widerstände integrieren, um eine höhere Genauigkeit und eine kleinere Lösung zu bieten, zusätzlich zu den kosteneffektiven eigenständigen Operationsverstärkern.
650V- und 1200V-IGBTs
Die Bipolartransistoren (IGBTs) von onsemi mit 650 V und 1200 V und isoliertem Gate bieten eine robuste und kostengünstige Ultra-Field-Stop-Trench-Konstruktion und überlegene Leistung in anspruchsvollen Schaltapplikationen, die sowohl eine niedrige Einschaltspannung als auch minimale Schaltverluste bietet.
650 V SuperFET-III-MOSFETs
Die 650-V-SuperFET III-Baureihe von onsemi bietet Hochleistungs-Super-Junction-MOSFETs, die speziell für hohe Leistungsdichten entwickelt wurden. Die SuperFET III-Technologie mit erstklassiger FOM und Eoss reduziert den RDS(ON) um mehr als 40 % bei gleicher Gehäusegröße im Vergleich zu früherer branchenführender Technologie. Dadurch können Produktentwickler die reduzierte Gehäusegröße oder die erhöhte Leistung auf der gleichen Grundfläche nutzen. Der SuperFET III verfügt über eine robuste Body-Diode und ein ausgewogenes Schaltverhalten.
100V- und 150V-PowerTrench-MOSFETs
Diese MOSFETs werden mit dem fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahren von onsemi hergestellt, das die Shielded Gate-Technologie umfasst. Fortschritte im Bereich der Siliziumtechnologie und der Dual Cool-Gehäuse wurden kombiniert, um unter Aufrechterhaltung einer exzellenten Schaltleistung durch einen extrem niedrigen thermischem Übergangs-Umgebungs-Widerstand den niedrigsten Drain-Source-Widerstand rDS(on) bieten zu können.
Intelligente Leistungs-Module (IPMs)
Die Leistungsmodule von onsemi für Applikationen in der Energieinfrastruktur bieten eine hochleistungsfähige Aufwärtsleistungsstufe mit Blindleistungskompensation. Diese Module integrieren optimierte Gate-Treiber der integrierten IGBTs zur Reduzierung von EMI und Verlusten und stellen gleichzeitig mehrere im Modul integrierte Schutzfunktionen einschließlich Unterspannungsabschaltung, Überstromabschaltung, thermische Überwachung und Störungsmeldung bereit.
Integrierte Leistungsmodule (PIMs)
Die integrierten Leistungsmodule nutzen die umfangreiche Erfahrung von onsemi in der Entwicklung von Zündungs-IGBTs für Automobile und die Entwicklung intelligenter Leistungsmodule (IPM) sowie das Know-how bezüglich Gehäusen, um Stromversorgungslösungen bereitzustellen, die nach den höchsten Industriestandards qualifiziert sind. Darüber hinaus bieten die Modullösungen von onsemi den Kunden eine vollständig integrierte Lieferkette für Silizium und Gehäuse, wodurch hohe Qualität und Kosteneffizienz gewährleistet werden.
Das NXH80B120L2Q0SG ist ein Leistungsmodul mit einer dualen Aufwärtsstufe, bestehend aus zwei 40-A/1200-V-IGBTs, zwei 15-A/1200-V-SiC-Dioden und zwei 25-A/1600-V-Antiparalleldioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25-A-/1600-V-Bypass-Gleichrichter für die Einschaltstrombegrenzung sind im Lieferumfang enthalten. Ein On-Board-Thermistor ist enthalten.
Hochspannungs-Gleichrichter
Das Hochspannungsgleichrichter-Portfolio von onsemi umfasst branchenführende Lösungen für eine Vielzahl von Applikationen, die den Kunden Flexibilität für ihre Designanforderungen bieten.
Siliziumkarbid-Dioden
Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die eine höhere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit für Silizium bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, keine temperaturunabhängigen Schalteigenschaften und ausgezeichnete thermische Leistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Die Vorteile für das System sind ein verbesserter System-Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhter Leistungsdichte, reduzierte EMI, kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten.
Optoisolatoren
Das Optokoppler-Portfolio von onsemi umfasst branchenführende Lösungen für eine Vielzahl von Applikationen, die den Kunden Flexibilität für ihre Designanforderungen bieten.