onsemi NVMFS015N10MCL n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs
Die NVMFS015N10MCL n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von Onsemi sind für kompakte und effiziente Designs konzipiert, einschließlich hoher thermischer Leistung. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Drain-zu-Quellen-Widerstand (RDS(on)) zur Minimierung der Leitungsverluste und eine niedrige Gate-Ladung (QG) / Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Die NVMFS015N10MCL MOSFETs von Onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Diese MOSFETs werden einem kleinen DFN5-Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm geliefert. Zu den typischen Applikationen gehören Batterie-Verpolungsschutz in Magnettreibern, Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken) in Motorsteuerungen und Schaltnetzteilen.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- 12,2 mΩ at 10 V
- 18,3 mΩ at 4,5 V
- 100 V Drain-zu-Quellen-Widerstand (V(BR)DSS)
- Maximaler Drainstrom von 47,1 A (ID)
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Kleiner Footprint (5 mmm x 6 mmm) für ein kompaktes Design
Technische Daten
- Batterie-Verpolungsschutz für Magnettreiber
- Leistungsschalter für die Motorsteuerung
- Schaltnetzteile
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-18
| Aktualisiert: 2024-06-04