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onsemi FDMS36xxS Asymmetrische Dual-Leistungs-MOSFETs

Fairchild Semiconductor FDMS36xxS asymmetrische Leistungsstufen-Dual-MOSFET-Module bieten die höchste Ausgangsstromkapazität sämtlicher 5mm x 6mm Dual-MOSFET-Lösungen, die auf dem Markt erhältlich sind. Fairchild FDMS36xxS asymmetrische Dual-MOSFETs integrieren ein Steuer- und Synchron-MOSFET sowie eine monolithische Schottky-Körperdiode in einem PQFN-Gehäuse. Der Schaltknotenpunkt wurde intern verbunden, um ein einfaches Platzieren und Routing der synchronen Abwärtswandler zu ermöglichen. Der Steuer-MOSFETs und Synchron-MOSFETs sind für eine optimale Energieeffizienz des Ausgabestroms bis zu 30A konzipiert. Diese Geräte von Fairchild Semiconductor erreichen branchenführende unter-2mO niedrige RDS (on) bei als Hochleistungs-Durchschlagspannungen bewerteten Computeranwendungen. FDMS36xxS MOSFETs sind dafür optimiert die Kombination von Leitungs- und Schaltverlusten von 300kHz bis 600kHz zu reduzieren und zuverlässige, hochleistungseffiziente Point-of-Load und Mehrphasen-Synchronauslesungen in DC-DC-Abwärtsanwendungen zu liefern.

Merkmale

  • Integrated control FET (high side) and synchronous FET (low side)
  • MOSFETs and Schottky body diode in 5mm x 6mm PQFN package
  • Reduces footprint area by replacing two or three 5mm x 6mm components
  • Provides high power density for point-of-load and multi-phase synchronous buck DC-DC applications
  • Clip technology reduces synchronous FET (low side) RDS(ON) to below 2mΩ
  • Shielded gate technology reduces switch node ringing, which eliminates need for external snubbers or gate resistors in most applications
  • Ultra-low source inductance on synchronous FET
  • Conventional pinout and footprint

Applikationen

  • DC-DC synchronous-buck conversion
  • Desktops, notebooks, and servers
  • Telecommunications, routing, and switching

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Veröffentlichungsdatum: 2011-06-17 | Aktualisiert: 2024-02-01