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ON Semiconductor SuperFET-III-MOSFETs

ON Semiconductor SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET®-III-MOSFETs von ON Semiconductor sind Super-Junction-(SJ)-Hochspannungs-MOSFETs (700 V bei TJ = 150 ºC) mit Ladungsausgleich-Technik. Diese Technologie bietet einen hervorragenden niedrigen On-Widerstand (59 mΩ oder 62 mΩ RDS(on) typ.) und eine Gate-Ladung mit geringer Leistung (78nC Qg typ.). SuperFET-III-MOSFETs sind zur Reduzierung des Leistungsverlustes ausgelegt, bieten eine hervorragende Schaltleistung und widerstehen extreme Anstiegsraten der Drain-Source-Spannung (dv/dtkonzipiert. ON Semiconductor SuperFET III eignet sich hervorragend für verschiedene Leistungssysteme für die Miniaturisierung und hohe Zuverlässigkeit.


Merkmale
  • 700V bei TJ = 150ºC Spannung
  • Typ. 59 mΩ oder 62 mΩ RDS(on) On-Widerstand
  • Typ. 78nC Qg extrem niedrige Gate-Ladung
  • 715pF COSS(eff.) effektive Ausgangskapazität
  • 100% Avalanche-getestet
  • ROHS-konform
Applikationen
  • Telekom-/Server-Netzteile
  • Industrielle Netzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) / Solar


eNews
  • ON Semiconductor
Veröffentlichungsdatum: 2016-03-30 | Aktualisiert: 2016-03-30