NXP Semiconductors KW39/38/37 Drahtlose Mikrocontroller

NXP Semiconductors KW39/38/37 Drahtlose Mikrocontroller, welche die KW39-, KW38- und KW37-Bauteilfamilien umfassen. Diese MCUs sind hochintegrierte Einzelchip-Bauteile, die Bluetooth® Low Energy (BLE) und generische FSK-Konnektivität für Automotive- und Industrie-Embedded-Systeme ermöglichen. Diese KW39/38/37 sind für Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen vollständig AEC-Q100 Klasse 2 qualifiziert. Die KW39/38/37 drahtlosen MCUs enthalten einen ARM® Cortex®-M0, eine CPU mit bis zu 512 KB Flash und 64 KB SRAM. Diese MCUs verfügen über eine programmierbare Sender-Ausgangsleistung von -30 dBm bis +5 dBm, eine geringe Anzahl externer Komponenten für kostengünstige Applikationen und einen On-Chip-Balun mit einendigem bidirektionalem HF-Anschluss.

Die KW39/38/37 Bauteile werden als „BlackBox“-Modem verwendet, um eine Bluetooth LE- oder generische FSK-Konnektivität zu einem bestehenden Host-MCU oder MPU hinzuzufügen. Diese drahtlosen MCUs zeichnen sich als eigenständige drahtlose Smart-Sensoren mit einer Embedded-Applikation aus, bei der kein Host-Controller erforderlich ist. Der integrierte DC/DC-Wandler ermöglicht den Betrieb mit einer einzigen Knopfzelle oder Li-Ionen-Batterie mit einer signifikanten Reduzierung des Stromverbrauchs für leistungskritische Applikationen. Diese MCUs werden in einem Spannungsbereich von 1,71 V bis 3,6 V und in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C betrieben. Zu den typischen Applikationen gehören Sensoren, Asset-Tracking, Einzelhandels-Tracker, Gebäudesteuerung und -überwachung, Datei/Sicherheit sowie Datenerfassung.

Merkmale

  • Multi-Standard-Funk:
    • Kompatibel mit 2,4-GHz-Bluetooth Low Energy (Bluetooth LE) Version 5.0, unterstützt bis zu 8 gleichzeitige Hardware-Verbindungen und alle optionalen Funktionen, einschließlich:
      • Hochgeschwindigkeit (2 M PHY)
      • Große Reichweite
      • Anzeigeerweiterung
      • Nicht verbindbare Anzeige mit hohem Tastverhältnis
      • Kanalauswahl-Algorithmus-Nr. 2
  • Typische Bluetooth-LE-Empfängerempfindlichkeit:
    • -95,5 dBm Bluetooth LE 2 MBit/s
    • -98 dBm Bluetooth LE 1 MBit/s 
    • -101 dBm Bluetooth LE LR 500 kBit/s
    • -105 dBm Bluetooth LE LR 125 kBit/s 
  • Generische FSK-Modulation:
    • Datenrate von 50, 500, 1.000 und 2.000 kBit/s
    • GFSK BT = 0,5, MSK-Modulationen
    • 0,32, 0,5, 0,7 und 1,0 Modulationsindex
    • Typische Empfängerempfindlichkeit (250 kBit/s GFSKBT = 0,5, H = 0,5) = -101 dBm
  • Programmierbare Sender-Ausgangsleistung: -30 dBm bis +5 dBm
  • Geringe Anzahl externer Komponenten für kostengünstige Applikationen
  • On-Chip-Balun mit einendigem bidirektionalem HF-Anschluss
  • System-Peripherie:
    • Neun Stromspar-MCU-Modi für eine Leistungsoptimierung basierend auf Applikationsanforderungen
    • DC/DC-Wandler unterstützt Abwärts- und Bypass-Betriebsmodi
    • DMA-Controller (Direct Memory Access, DMA)
    • Watchdog für den ordnungsgemäßen Betrieb des Computers (COP)
    • Serial-Wire-Debug(SWD)-Schnittstelle und Mikro-Trace-Buffer
    • Bit-Manipulations-Engine (BME)
  • Timer:
    • Stromsparender 16-Bit-Timer (LPTMR)
    • 3 Timer-/PWM-Module (TPM):
      • Ein Vierkanal-TPM und zwei Zweikanal-TPMs
    • Programmierbarer Interrupt-Timer (PIT)
    • Echtzeituhr (RTC)
  • Kommunikationsschnittstellen:
    • 2 serielle Peripherieschnittstellen-Module (SPI)
    • 2 Inter-integrierte Schaltkreis-Module (I2C)
    • Stromsparendes UART-Modul (LPUART) mit LIN-Unterstützung (2 x LPUART auf KW38)
    • Träger-Modulator-Timer (CMT)
    • FlexCAN-Modul (mit CAN-FD-Unterstützung mit einer Baudrate von bis zu 3,2 MBit/s) auf KW38
  • Analogmodule:
    • 16-Bit-Analog-Digital-Wandler (ADC)
    • 6-Bit-Analog-Hochgeschwindigkeits-Komparator (CMP)
    • 1,2 V Spannungsreferenz (VREF)
  • MCU und Speicher:
    • 256 KB Programm-Flash-Speicher plus 256 KB FlexNVM auf KW39/38
    • 512 KB Programm-Flash-Speicher auf KW37
    • 8 KB FlexRAM unterstützt EEPROM-Emulation auf KW39/38
    • 8 KB Programmbeschleunigungs-RAM auf KW37
    • 64 KB On-Chip-SRAM
    • Bis zu 48 MHz ARM® Cortex®-M0+-Core
  • Geringe Leistungsaufnahme:
    • Transceiver-Strom (DC/DC-Abwärtsmodus, 3,6 V Versorgung)
    • Typischer Rx-Strom: 6,3 mA
    • Typischer Tx-Strom: 5,7 mA
    • Strom im Stromsparmodus: 266,6 nA 
  • Sicherheit:
    • AES-128-Hardware-Beschleuniger (AESA)
    • Echter Zufallsnummerngenerator (TRNG)
    • Erweiterte Flash-Sicherheit auf Programm-Flash
    • Eindeutige 80-Bit-Identifikationsnummer pro Chip
    • Einzigartige 40-Bit-Media-Access-Control(MAC)-Unteradresse
    • LE-sichere Verbindungen
  • Taktgeber:
    • Unterstützen 26 MHz und 32 MHz für Bluetooth LE- und generische FSK-Modi
    • 32,768 kHz Quarzoszillator
  • Betriebseigenschaften:
    • Spannungsbereich: 1,71 V bis 3,6 V
    • Umgebungs-Betriebstemperaturbereich -40 °C bis +105 °C
    • Automotive-Qualifikation gemäß AEC-Q100 Klasse 2
    • Industriequalifizierung 
  • Mensch-Maschine-Schnittstelle (HMI):
    • Universal-Eingangs/-Ausgangsschnittstelle (GPIO)

Applikationen

  • Automotive:
    • Autozugang
    • Schlüsselloses Zugangssystem
    • Passiveingangs-/Passivstart-Systeme (PEPS)
    • Carsharing
    • Sensoren
  • Smart-Unterhaltungselektronik:
    • Einzelhandel-Tracker
    • Asset-Tracking
  • Industrie:
    • Gebäudeleittechnik und -überwachung
    • HLK-Gebäudeleittechnik 
    • Datei/Sicherheit
    • Einzelhandelspreisverwaltung
    • Datennutzungssammlung
    • CAN- und BLE-Brücke

Blockdiagramme

Veröffentlichungsdatum: 2020-05-15 | Aktualisiert: 2024-12-30