NXP Semiconductors HF-LDMOS-Leistungstransistoren MRFE6VP6 mit 50V

Die HF-LDMOS-Leistungstransistoren MRFE6VP6 und MRFE6VP6300H mit 50V von Freescale Semiconductor sind für Anwendungen mit hohem Stehwellenverhältnis (VSWR) konzipiert. Der Transistor MRFE6VP61K25H bietet eine Ausgangsleistung von 1250W, womit er sich hervorragend für robuste Anwendungen eignet. Die verbesserte Robustheit der HF-LDMOS-Leistungstransistoren MRFE6VP61K25H von Freescale Semiconductor ermöglicht es Entwicklern, auf externe Schaltungen zu verzichten, die zuvor erforderlich waren, um die Gesamtkosten für das System zu reduzieren und die Leistungsfähigkeit zu verbessern. Der Baustein MRFE6VP61K25H unterstützt raue Umgebungen in höchst fehlangepassten Anwendungen wie Plasmageneratoren, CO2-Laser und MRT-Leistungsverstärker. Die HF-LDMOS-Leistungstransistoren mit 50V MRFE6VP6300H von Freescale wurden für Anwendungen mit Betriebsfrequenzen zwischen 1,8 und 600MHz entwickelt und für die Verwendung bei stark fehlangepasster Impedanz optimiert, wie sie in CO2-Lasern, Plasmageneratoren und MRT-Scannern zu finden ist. Der Baustein MRFE6VP6300H ist der erste LDMOS-Transistor mit 50V, der eine volle Ausgangsleistung von 300W CW für eine Last mit einem Stehwellenverhältnis (VSWR) von 65:1 bereitstellt.