Zurück zu Nexperia

Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren

PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren mit niedrigerVCEsat von Nexperia bieten eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und eine hohe Kollektorstromfähigkeit. Die PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren bieten einen höheren Wirkungsgrad, was zu geringerer Wärmeerzeugung führt. Die Transistoren mit niedriger VCEsat sind in einem bleifreien kleinen SMD-Kunststoffgehäuse DFN2020D-3 (SOT1061D) mit sicht- und lötbaren Seitenpads erhältlich

Merkmale

  • DFN2020D-3 (SOT1061D) Gehäuse
  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat
  • Hohe Kollektorstromfähigkeit mit IC und ICM
  • Ein höherer Wirkungsgrad führt zu einer geringeren Wärmeentwicklung.
  • Reduzierte Leiterplattenanforderungen
  • Kleines SMD-Kunststoffgehäuse ohne Anschlüsse mit lötbaren Seitenpads
  • Freiliegender Kühlkörper für hervorragende thermische und elektrische Leitfähigkeit
  • Geeignet für die automatische optische Inspektion (AOI) der Lötverbindung
  • Gemäß AEC-Q101 qualifiziert und für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen empfohlen (PBSSxx50PAS-Q)

Applikationen

  • Lastschalter
    • Batteriebetriebene Bauteile
    • Leistungsmanagement
    • Ladeschaltungen
    • Stromschalter (z. B. Motoren, Lüfter)

Typische Applikation

Applikations-Schaltungsdiagramm - Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-19 | Aktualisiert: 2024-07-04