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Nexperia NID1101 Hocheffiziente ideale Diode

Die Nexperia NID1101 hocheffiziente ideale Diode wurde entwickelt, um herkömmliche SCHOTTKY-Dioden in Niederspannungs-Stromversorgungssystemen zu ersetzen. Der Nexperia NID1101 bietet einen deutlich niedrigeren Durchlass-Spannungsabfall und ermöglicht gleichzeitig sowohl Vorwärts- als auch echtes Rückstrom-Blocking. Die NID1101 arbeitet mit 1,5 V bis 5,5 V Eingabebereich und unterstützt bis zu 1,5 A Dauerstrom. Er ist ideal für Applikationen, die minimalen Leistungsverlust und eine präzise Stromsteuerung erfordern, wie z. B. Leistungs-O-Verknüpfung, redundante Versorgungsumschaltung und Rückstromschutz. In Konfigurationen mit zwei Spannungsversorgungen ermöglicht die ideale Diode nahtlose Quellenübergänge ohne zusätzliche Logikschaltung. Die NID1101 ist in einem kompakten WLCSP4-Gehäuse (SOT8113) erhältlich und für den Betrieb für einem Temperaturbereich von -40°C bis +125°C ausgelegt.

Merkmale

  • 1,5 V bis 5,5 V Eingangsspannungsbereich
  • Typischer Spannungsabfall von nur 29 mV bei 3,6 V Eingangsspannung und 100 mA Laststrom
  • Sperrspannungs-Blocking immer, geringer Ableitstrom, wenn VOUT > VIN
  • Durchlassspannung blockiert, wenn deaktiviert
  • Niedriger Ruhestrom
  • Verbesserte Einschwingverhalten der Last
  • Kontrollierte Anstiegsrate bei Inbetriebnahme
  • Übertemperaturschutz
  • Kurzschlussschutz
  • SOT8113, 4-poliges, wafer-level Chip-Scale-Gehäuse
  • Angegebene Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C

Applikationen

  • Smart Wearables
  • ORing-Applikationen
  • Diodenersatz
  • Batterie-Backup-Systeme
  • USB-betriebene Bauteile

Technische Daten

  • Eingangsspannungsbereich von 1,5 V bis 5,5 V
  • Betriebsausgangsspannung: 0 V zu 5,5 V
  • Maximaler Dauerausgangsstrombereich: 0,5 A bis 1,5 A
  • Maximaler gepulster Schaltstrom von 2 A
  • Spannungsbereich des EN-Pins von 0 V bis 5,5 V
  • Eingangsstrom
    • Maximaler Ruhestrom 1100nA, typischer Wert 600nA
    • Maximaler Abschaltstrom 430nA, typischer Wert 120nA
  • 50 mV bis 155 mV maximaler Durchgang-FET-Durchlass-Spannungsabfallbreich, 21 mV bis 110 mV typischer Bereich
  • Rückstromblockierung
    • 31 mV typische RCB-Aktivierungsspannung
    • 41 mV typische RCB-Abschaltspannung
    • -220nA bis 615nA Ableitstrom im IN-Bereich, aktiviert
    • Ableitstrom von -200nA bis 1200NA im OUT-Bereich, aktiviert
    • ±500 nA Ableitstrom im IN-Bereich, deaktiviert
  • Eingangsfreigabe
    • 1,2 V minimale obere Schwelle
    • 0,4 V maximale untere Schwelle
    • 45 mV typische Hysterese
    • 50 nA maximaler Strom
  • 2,2 A typische Kurzschluss-Sicherung bei Überstrombegrenzung
  • 175 °C typischer Übertemperaturschutz
  • 35 °C typische Übertemperaturhysterese
  • Typische dynamische Eigenschaften
    • 660 μs Einschaltverzögerungszeit
    • 100 μs Anstiegszeit
    • 20 μs Sperrzeit des Rückstroms
    • 35 μs Anschwingzeit der Strombegrenzung
  • 173 °C/W thermischer Widerstand zwischen der Verbindung und zur Umgebungstemperatur
  • 5 °C/W Charakterisierungsparameter von der Verbindungsstelle bis zur Oberseite
  • ESD-Bewertungen
    • ±2.000 V HBM gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 Klasse 2
    • ±500 V CDM gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 Klasse C2a

Vereinfachte Applikation

Applikations-Schaltungsdiagramm - Nexperia NID1101 Hocheffiziente ideale Diode

Funktionsdiagramme

Blockdiagramm - Nexperia NID1101 Hocheffiziente ideale Diode

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Veröffentlichungsdatum: 2025-11-25 | Aktualisiert: 2025-12-21