Nexperia GAN039 Leistungs-GaN-FETs im CPAK1212-Gehäuse
Nexperia GAN039 Leistungs-GaN-FETs im CPAK1212-Gehäuse bieten eine Kupfer-Clip-Gehäusetechnologie mit niedriger Induktivität, niedrigen Schaltverlusten und hoher Zuverlässigkeit. Drahtbondfrei für eine optimierte thermische und elektrische Leistung bieten diese Bauteile eine Kaskaden-Konfiguration, um komplizierte Treiber und Steuerungen zu eliminieren. Die GAN039 FETs zur Oberflächenmontage verfügen über eine obere Kühlung (CCPAK1212i) oder eine herkömmliche untere Kühlung (CPAK1212) zur Verbesserung der Wärmeableitung und bieten dadurch zusätzliche Designflexibilität. Die CCPAK1212- und CCPAK1212i-Gehäuseausführungen verfügen über einen kompakten Footprint. Flexible Knickflügel-Leitungen bieten eine robuste Zuverlässigkeit auf Boardebene für Umgebungen mit extremen Temperaturen. Zu den typischen Applikationen gehören Servomotorantriebe, PV- und USV-Wechselrichter, brückenlose Totem-Pole-PFC und weichschaltende Wandler.
Merkmale
- Extrem niedriger Gehäusewiderstand
- Hohe Zuverlässigkeit auf Board-Ebene, die im Gegensatz zu herkömmlichen QFN-Gehäusen mechanische Belastungen bei Temperaturwechseln absorbiert
- Freiliegende Leitungen ermöglichen eine einfache optische Inspektion
- Vereinfachtes Treiberdesign
- 0 V bis 12 V Antriebsspannungsbereich
- 4 V Gate-Schwellenspannung für Gate-Bounce-Immunität
- Niedrige body-Dioden-Durchlassspannung für reduzierte Verluste und vereinfachte Totzeit-Anpassungen
- Transiente Überspannungsfestigkeit für erhöhte Robustheit
- 2 x Kühloptionen
- Bottom-side cooling (CCPAK1212)
- Oberseitenkühlung (CCPAK1212i)
- Sperrschichttemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
- Einfache Lötbenetzung für gute mechanische Lötverbindungen
Technische Daten
- 650 V maximale Drain-Source-Spannung
- Bis zu 60 A maximaler Drainstrom
- Bis zu 300 W maximale Gesamtverlustleistung
- 39 mΩ maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand, 33 mΩ (typisch)
- ±20 V Gate-Source-Spannung
- Gate-Drain-Ladung: 5 nC (typisch)
- Bis zu 30 nC typische Gesamt-Gate-Ladung
- Sperrschichttemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Applikationen
- Telekommunikations-/Server-Netzteile für Titan
- Laden von Industriefahrzeugen
- Solar-Wechselrichter (PV)
- Brückenloser Totem-Pole-PFC
- AC-Servoantriebe/Frequenzumrichter
- Hart- und weichschaltende Wandler
- Batteriespeicher/USV-Wechselrichter
Weitere Ressourcen
Datenblätter
Videos
Veröffentlichungsdatum: 2023-08-31
| Aktualisiert: 2025-05-12