Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse
Die Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFETs im MLPAK33-WF-Gehäuse (SOT8002-3D) verwenden die Trench9-Technologie. Sie sind für Temperaturen bis 175 °C nach AEC-Q101 zertifiziert und bieten einen kleinen Footprint für kompakte Designs. Nexperia BUK7Q verfügt über seitlich benetzbare Flanken, die robuste Lötstellen und eine automatisierte optische Inspektion ermöglichen.
Merkmale
- Gehäuse MLPAK33-MF (SOT8002-3D)
- Trench 9-Technologie
- Footprint von 3 mm x 3 mm
- Qualifiziert nach AEC-Q101 bei 175 °C
- Seitlich benetzbare Flanken für robuste Lötstellen und automatisierte optische Inspektion
Applikationen
- Motortreiber
- Batterieschutz
- DC/DC -Umwandlung
Technische Daten
- 40 V Drain-Source-Durchschlagspannung
- 20V Vgs gate-source-Spannung
- SMD/SMT
- MLPAK33-8
- 8-Pin-Anzahl
- -55 °C bis +175 °C Temperaturbereich
- Einzelner N-Kanal
Pinning
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| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Pd - Verlustleistung | Qg - Gate-Ladung | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Regelabschaltverzögerungszeit | Typische Einschaltverzögerungszeit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7Q4R9-40HJ |  |
70 A | 84 W | 29 nC | 4.9 mOhms | 23 ns | 7 ns |
| BUK7Q6R0-40HJ | |
73 A | 65 W | 22 nC | 6 mOhms | 17 ns | 6 ns |
| BUK7Q7R5-40HJ | |
55 A | 53 W | 17 nC | 7.5 mOhms | 14 ns | 5 ns |
| BUK7Q8R4-40HJ | |
57 A | 51 W | 16 nC | 8.4 mOhms | 13 ns | 4.7 ns |
| BUK7Q9R5-40HJ | |
51 A | 47 W | 14 nC | 9.5 mOhms | 12 ns | 4.1 ns |
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-15
| Aktualisiert: 2026-01-30