Nexperia BASxxGW Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden
Die Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden BASxxGW von Nexperia sind nach AEC-Q101 qualifiziert und in einem kleinen SOD123- und SOT123-SMD-Kunststoffgehäuse eingekapselt. Die BASxxGW Dioden bestehen aus den Varianten BAS16GWJ, BAS16GWX, BAS21GWJ und BAS21GWX. Diese BASxxGW Dioden verfügen über eine Sperrverzögerungszeit von trr ≤ 4 ns/50 ns Schaltgeschwindigkeit und eine Sperrspannung von VR ≤ 100 V/200 V. Typische Applikationen sind Hochgeschwindigkeits-Schaltung bei Hochspannung und Universal-Schaltung.
Merkmale
- BAS16GW Dioden:
- Kleines SMD-Kunststoffgehäuse
- Sperrspannung: VR ≤ 100 V
- Geringe Kapazität: Cd ≤ 1,5 pF
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 ns
- Niedriger Leckstrom
- Nach AEC-Q101 qualifiziert
- BAS21GW Dioden:
- Kleines SMD-Kunststoffgehäuse
- Hohe Sperrspannung: VR ≤ 200 V
- Geringe Kapazität: Cd ≤ 2 pF
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 50 ns
- Niedriger Leckstrom: IR ≤ 100 nA
- Nach AEC-Q101 qualifiziert
Applikationen
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung bei Hochspannung
- Universalschaltung
Datenblätter
Veröffentlichungsdatum: 2017-09-18
| Aktualisiert: 2022-03-11