Micron i400 Industrie-MicroSD-Karten
Micron i400 Industrie-MicroSD-Karten nutzen die fortschrittliche Micron® 3D-NAND-Flash-Speicher-Technologie in einem entfernbaren Speichergerät. Die i400 MicroSD-Karten sind so konzipiert, dass Sie die Anforderungen an Leistung, Kapazität und Qualität erfüllen, die für Industriegeräte oder Systeme erforderlich sind.
Die i400 Industrie-MicroSD-Karten von Micron bieten einen speziellen Flash-Speicher für Massenspeicherung und einen integrierten intelligenten Controller. Der Controller verwaltet Schnittstellenprotokolle, Sicherheitsalgorithmen zum Schutz von Inhalten, Datenspeicherung, Abruf, Fehlerbehebungscode(ECC)-Algorithmen, Fehlerbehandlung, plötzlicher Ausschaltschutz und Verschleißausgleich.
Die i400 microSD-Karte enthält eine oder mehrere NAND-Flash-Speicherbauelemente und einen microSD-Karten-Controller. Darüber hinaus hängt die Dichte einer Karte von der Anzahl der Stanzschablonen innerhalb des Gehäuses und der Dicke der einzelnen Matrizen ab.
Merkmale
- Micron® 176-Layer-3D-NAND-Flash
- 8-Pad-microSD-Speicherkarte (11 mm × 15 mm) Formfaktor
- Dichten von 64 GB bis 1,5 TB
- Konform mit SD-Physical-Layer-Spezifikation Version 6.10
- microSD-Kartenspezifikation Version 4.203
- SD-Speicherkarten-Dateisystemspezifikation
- Passwortschutz von Karten
- Unterstützt eine sichere Digitalschnittstelle (SD) und eine serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
- Mittlere Ausfallzeit (Mean Time to Failure, MTTF): 2 Millionen Stunden
- Haltbarkeit von insgesamt geschriebene Bytes (TBW):
- 64 GB bis zu 140 TB
- 128 GB bis zu 175 TB
- 256 GB bis zu 300 TB
- 512 GB bis zu 600 TB
- 1 TB bis zu 1.200 TB
- 1,5 TB bis zu 1.800 TB
- Überwachungsaufzeichnungsfähigkeit
- 24/7-Aufzeichnung für 5 Jahre
- Gesundheitsüberwachung verfügbar
- Bus-Geschwindigkeitsmodus (theoretische Übertragungsrate bei x4 Bits)
- Standard: 3,3-V-Signalisierung von bis zu 12,5 MB/s bei 25 MHz
- Hochgeschwindigkeit: 3,3-V-Signalisierung von bis zu 25 MBit/s bei 50 MHz
- SDR12: UHS-I 1,8-V-Signalisierung von bis zu 12,5 MBit/s bei 25 MHz
- SDR25: UHS-I 1,8-V-Signalisierung von bis zu 25 MBit/s bei 50 MHz
- SDR50: UHS-I 1,8-V-Signalisierung von bis zu 50 MBit/s bei 100 MHz
- SDR104: UHS-I 1,8-V-Signalisierung von bis zu 104 MB/s bei 208 MHz
- DDR50: UHS-I 1,8-V-Signalisierung von bis zu 50 MBit/s bei 50 MHz (an beiden Taktflanken abgetastet)
- Schnittstellenunterstützung für Niederspannungssignalisierung (LVS): 1,8 V
- LV50: LV-Karten unterstützen UHS50
- LV104: LV-Karten unterstützen UHS104
- Integrierter Power-on-Reset, Oszillator, Spannungsregelung und Spannungserkennungsschaltungen
- Integrierte Funktionen für Mängel- und Fehlermanagement
- LDPC-Fehlerbehebungscode implementiert
- Globaler Verschleißausgleich
- Bad-Block-Management
- Auffrischungsmechanismus für UECC-Prävention
- Abrupter Ausschaltschutz (SPO)
- Betriebsspannung von 2,7 bis 3,6 V
- Temperatur
- Betriebstemperatur: -25 °C bis +85 °C
- Lagertemperatur: -40 °C bis +85 °C
- Standard-Einhaltung
- RoHS
- FCC-
- CE
- BSMI
- KC RRA
- W.E.E.E.
- VCCI
- IC
- Halogenfrei
Blockdiagramm
Abmessungen (mm):
Veröffentlichungsdatum: 2022-06-29
| Aktualisiert: 2023-07-10