Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Leistungsmodule
Die Siliziumkarbid(SiC)-Leistungsmodule von Microchip Technology vereinen eine beeindruckende Palette von Technologien in einem einzigen Gehäuse, das für Zuverlässigkeit, Effizienz, Platzersparnis und reduzierte Montagezeit optimiert ist. Die sofort verfügbare Standardmodul-Produktlinie von Microchip Technology umfasst eine große Auswahl an Schaltungstopologien, Halbleitern, einschließlich Siliziumkarbid, Nennspannungen und Nennströme sowie Gehäusen. Einzigartige Anforderungen können mit anwendungsspezifischen Leistungsmodulen (ASPM®) erfüllt werden.
Merkmale
- -60 °C bis +200 °C Temperaturbereich
- Hochzuverlässig
- Reduzierte Größe und geringeres Gewicht
- Test- und Screening-Optionen mit hoher Zuverlässigkeit
Applikationen
- Schweißen
- Solaranlagen
- Induktionserhitzer
- Medizintechnik
- USV
- Motorsteuerung
- Schaltnetzteile
- Verteidigung sowie Luft- und Raumfahrt
Ressourcen
- Der 48-kW-Resonanzwandler für Röntgengeräte verwendet Hochgeschwindigkeits-Leistungsmodule mit integrierter Flüssigkeitskühlung
- Erweitertes IGBT-Treiber-Applikationshandbuch
- Grundplatten-Flachheit von Leistungsmodulen
- Hinweise zur Handhabung und zum Schutz gegen elektrostatische Entladungen
- Hochfrequenz-Resonanz-Halbbrücke
- Montageanleitung für D3- und D4-Leistungsmodule
- Montageanleitung für SP1-Leistungsmodule
- Montageanleitung für Phasenzweig- und Vollbrücken-SP2-Leistungsmodule
- Montageanleitung für SP3-Leistungsmodule
- Montageanleitung für SP3F-Leistungsmodule
- Montageanleitung für SP4-Leistungsmodule
- Montageanleitung für SP6-Leistungsmodule
- Montageanleitung für das SP6-Leistungsmodul mit niedriger Induktivität
- Montageanleitung für das SP6P-Leistungsmodul
- Parallelgeschaltete Verbindung von IGBT- und MOSFET-Leistungsmodulen
- Ausschalt-Snubber-Design für Hochfrequenzmodule
- Verwendung von NTC-Temperatursensoren, die in Leistungsmodulen integriert sind
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Veröffentlichungsdatum: 2020-01-29
| Aktualisiert: 2024-07-08