Microchip Technology 23AA04M/23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI SRAMs
Die 23AA04M und 23LCV04M 4 Mb-SPI/SDI/SQI-SRAMs von Microchip Technology sind Random-Access-Speicher, die über einen SPI-kompatiblen seriellen BUS (Serial Peripheral Interface, SPI) zugänglich sind. Der SRAM bietet 4096K-Bit-Lese- und Schreiboperationen mit geringem Stromverbrauch und Einzelspannung. Die 23AA04M und 23LCV04M unterstützen eine serielle Dual-Schnittstelle (SDI) und eine serielle Quad-Schnittstelle (SQI) für schnellere Datenraten und eine 143 MHz Hochgeschwindigkeits-Taktfrequenz. Die SRAMs bieten eine integrierte Fehlerkorrekturcode-Logikschaltung (ECC), die eine hohe Zuverlässigkeit gewährleistet. Die 23AA04M und 23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI SRAMs von Microchip Technology bieten eine 256 x 8-Bit Organisation mit Byte-, Seiten- und sequenziellen Modi für Lese- und Schreibvorgänge. Der SRAM arbeitet mit unbegrenzten Lese-/Schreibzyklen und externer Batterie-Backup-Unterstützung. Die Bauteile sind halogenfrei und RoHS-konform.
Merkmale
- Stromsparender 4.096-K-bit-SRAM
- Lese- und Schreibvorgänge mit Einzelspannung
- 1,7 bis 3,6 V (23AA04M)
- 2,2 V bis 3,6 V (23LCV04M)
- Serielle Schnittstellenarchitektur
- Kompatibel mit SPI-Modi 0 und 3
- Unterstützt SDI und SQI
- 143 MHz Hochgeschwindigkeits-Taktfrequenz
- Hohe Zuverlässigkeit mit eingebauter Fehlerkorrekturcode-Logikschaltung (ECC)
- Unbegrenzte Lese- und Schreibvorgänge
- Unterstützung für externes Batterie-Backup
- Null-Schreibzeiten
- Geringer Stromverbrauch
- 6 mA Maximaler aktiver Lesestrom (bei 40 MHz, 3,6 V) für SPI/SDI/SQI
- 140 ° A typischer Standby-Strom bei +25 °C
- 256 x 8-Bit-Organisation
- Vom Benutzer ausgewählte Seitengröße 32byte oder 256byte
- Byte-, Seiten- und sequentieller Modus für Lese- und Schreibvorgänge
- Gehäuseoptionen
- 8-lead PDIP, 8-lead SOIC und 8-lead TSSOP
- 14-lead PDIP, 14-lead SOIC und 14-Pin TSSOP
- Halogenfrei und RoHS-konform
Technische Daten
- 3,9 Vcc absolute Nennspannung
- Maximaler Stromverbrauch bei aktivem Lesen 6 mA
- 140 μA Typischer Standby-Strom
- 4096Kbits Dichte
- -0,3 V bis Vcc+0,3 V alle Ein- und Ausgänge w.r.t
- 143 MHz Maximale Taktfrequenz
- 2 kV ESD-Schutz
- Umgebungstemperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
- -65 °C bis +150 °C Lagertemperaturbereich
Applikationshinweise
- Verwendung von externen Räumen des C30 zur Kommunikation mit seriellen Off-Chip-SRAM
- Verwendung des C30 Compiler zur Verbindung von seriellen SRAM-Bauteilen mit dsPIC33F und PIC24F
- Verwendung des C32 Compiler zur Verbindung von seriellen SRAM-Bauteilen mit PIC32 MCUs
- Verwendung des C18/HI-TECH C® Compiler zur Verbindung von seriellen SRAM-Bauteilen mit PIC16F/PIC18F Mikrocontrollern
- Bit-Banging der SDI- und SQI-Modi von Mikrochip seriellen 23XX512/23XX1024 SRAMs
Verwandter SRAM
Microchip Technology 23AA02M/23LCV02M 2-Mb-SPI-/-SDI-/-SQI-SRAMs
Random-Access-Speicherbauteile, die über eine serielle Peripherieschnittstelle (SPI) zugänglich sind.
Veröffentlichungsdatum: 2024-04-01
| Aktualisiert: 2024-05-17