MACOM CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs
CG2H40xx und CG2H30xx GaN (Galliumnitrid)-HEMTs von Wolfspeed / Cree sind High Electron Mobility Transistoren (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit), deren Betrieb über eine 28-V-Schiene ausgelegt ist. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren bieten eine Universal-Breitbandlösung für zahlreiche HF- und Mikrowellen-Applikationen. Da diese HEMTs über einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten verfügen, sind sie hervorragend für den Einsatz in linearen und komprimierten Verstärkerschaltungen geeignet. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren sind in einer großen Auswahl von Gehäusetypen für Design-Flexibilität verfügbar, einschließlich Schraub-, Löt-, Pill- und Flansch-Gehäuse. Zu den typischen Applikationen gehören Breitbandverstärker, Mobilfunkinfrastruktur und Radar.
Merkmale
- Designed to operate from a 28V rail
- High efficiency
- High gain
- Wide bandwidth capabilities
- Rugged design for long, reliable operation
- Variety of package types
Applikationen
- Breitband-Verstärker
- Mobilfunkinfrastruktur
- Radar
- Prüfmessgeräte
Technische Daten
- Drain-Quellspannung (VDSS): 120 V bei 25 ˚C
- Gate-Source-Spannung (VGS): -10 V bis +2 V
- Lagertemperatur (TSTG): -65 ˚C bis +150 ˚C
- Sperrschicht-Betriebstemperatur (TJ): 225 ˚C
- Gehäuse-Betriebstemperatur (TC): -40 ˚C bis +150 ˚C
CG2H40xx und CG2H30xx Testboards von Wolfspeed / Cree bieten eine Demonstrations- und Evaluierungsplattform für die CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs. Jedes Board verfügt über eine Beispiel-Verstärkerschaltung, die speziell auf das Zielbauteil zugeschnitten ist.
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| Teilnummer | Datenblatt | Verstärkung | Ausgangsleistung |
|---|---|---|---|
| CG2H40010F |  |
16.5 dB | 10 W |
| CG2H40045F | |
16 dB | 45 W |
| CGHV40180F | |
20.3 dB | 180 W |
| CG2H40025F | |
15 dB | 25 W |
| CG2H30070F | |
12.4 dB | 70 W |
Veröffentlichungsdatum: 2017-12-26
| Aktualisiert: 2024-01-19