Littelfuse AQ1205-01UTG Bidirektionale diskrete TVS-Diode
Die Littelfuse AQ1205-01UTG bidirektionale diskrete TVS-Diode wird mit der proprietären Silizium-Avalanche-Technologie hergestellt. Diese Diode bietet einen Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) für elektronische Geräte. Die AQ1205-01UTG TVS-Diode absorbiert sicher und ohne Leistungseinbußen wiederholte ESD-Schläge von ±30 kV (Kontakt- und Luftentladung gemäß IEC 61000-4-2). Diese Diode verfügt über einen Sperrstrom von 20 nA (VR = 4,5 V) und eine maximale Kapazität von 9 pF. Die AQ1205-01UTG TVS-Diode ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Diese Diode ist halogen- und bleifrei sowie RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive, Batterieschutz, BMS, Computer-Peripherie, medizinische Geräte, Notebooks/Desktops/Server, Kassenterminals, Schalter/Tasten und Test-/Messgeräte.Merkmale
- ESD, IEC 61000-4-2, ±30 kV Kontakt/Luft
- ESD, ISO10605 330 pF 330 Ω, ±30 kV Kontakt/Luft
- EFT, IEC 61000-4-4, 40 A (5/50ns)
- Maximale Überspannungstoleranz, IEC 61000-4-5, 2. Ausgabe, 7 A (8/20 μs)
- Niedrige Klemmspannung
- Halogen- und bleifrei
- RoHS-konform
- Feuchteempfindlichkeit (MSL-1)
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
Technische Daten
- Maximaler Ableitstrom: 20 nA
- Durchschlagspannungsbereich (IR= 1 mA): 5 V bis 5,5 V
- Dynamischer Widerstand (TLP, tp= 100 μs, I/O bis GND): 0,20 Ω
- Kapazitätsbereich (f = 1 KHz): 7 pF bis 9 pF
- Klemmspannung:
- 6,5 V (IPP= 1 A, tp= 8/20 µs, I/O zu GND)
- 10 V (IPP= 7 A, tp = 8/20 μs, I/O zu GND)
- -40 °C bis 150 °C Betriebstemperaturbereich
Applikationen
- Automobil-Applikationen
- Batterieschutz
- Batteriemanagementsystem (BMS)
- Computer-Peripherie
- Medizinisches Equipment
- Desktops, Notebooks und Server
- Kassenterminals
- Schalter/Tasten
- Testausstattung/Messgeräte
Funktionales Blockdiagramm
Maßbild
Veröffentlichungsdatum: 2024-04-17
| Aktualisiert: 2024-04-30
