IXYS X4-Klasse 135-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs

IXYS X4-Klasse 135-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs wurden unter Verwendung eines Ladungsausgleichsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt. Diese Technologie sorgt für Leistungs-MOSFETs mit wesentlich geringerem Widerstand R_DS(on) und Gate-Ladung Q_g. Ein niedriger Einschaltwiderstand reduziert die Leitungsverluste; er verringert auch die in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie und minimiert die Schaltverluste. Eine niedrige Gate-Ladung führt zu einem höheren Wirkungsgrad bei leichter Last sowie zu geringeren Gate-Drive-Anforderungen. Diese MOSFETs weisen eine überlegene dv-dt-Leistung auf und sind Avalanche-fähig. Aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten ihres Einschaltwiderstands können diese MOSFETs parallel betrieben werden, um höhere Stromanforderungen zu erfüllen.