Zurück zu IXYS

IXYS Ultra-Junction-MOSFETs

Die Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS verfügen über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Qg in Industriestandard-Gehäusen mit niedriger Induktivität. Diese Bauteile ermöglichen eine hohe Leistungsdichte, eine einfache Montage und Platzeinsparungen. Die Ultra-Junction-MOSFETs sind ideale Lösungen in SNT, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik-/Servo-Steuerungen.

Dazugehörige Produkte

IXYS Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™

Für hocheffiziente Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen mit geringer Gate-Ladung.

Learn Moreüber IXYS Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™ View Productsverwandt mit IXYS Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™

IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreicherungsmodus.

Learn Moreüber IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™ View Productsverwandt mit IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

IXYS X4-Klasse 135-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs

Leistungs-MOSFETs, die mit wesentlich geringerem Widerstand RDS(on) und Gate-Ladung Qg erhältlich sind.

Learn Moreüber IXYS X4-Klasse 135-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs View Productsverwandt mit IXYS X4-Klasse 135-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2019-03-13 | Aktualisiert: 2025-12-26