IXYS IXD2012N Gate-Treiber
Der IXYS IXD2012N Gate-Treiber ist ein High-Side- und Low-Side-Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, der n-Kanal-MOSFETs und IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration ansteuern kann. Dieser Treiber ist für das Schalten von 200 V in einem Bootstrap-Betrieb ausgelegt und verfügt über eine 1,9 A Quellen-/2,3 A-Senken-Ausgangsstrombelastbarkeit. Mit den Standard-TTL- und CMOS-Logikpegeleingängen ist der Treiber IXD2012N mit Steuergeräten kompatibel und kann einfach verbunden werden. Die IXYS IXD2012N Treiberausgänge verfügen über Buffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Querströme des Treibers ausgelegt sind. Dieser Gate-Treiber wird in einem Umgebungstemperaturbereich von -40°C bis 125°C betrieben und wird in einem SOIC (N) -8-Gehäuse auf Gurtverpackung angeboten. Der IXD2012N Gate-Treiber wird in DC/DC-Wandlern, AC/DC-Wechselrichtern, Motorsteuerungen und Leistungsverstärkern der Klasse D verwendet.
Merkmale
- Potenzialfreier High-Side-Treiber bis zu 200 V in Bootstrap-Konfiguration
- Laufwerke zwei N-Kanal- MOSFETs oder IGBTs in einer Bauform.
- 1,9 A Quellen-/2,3 A-Senken-Ausgangsstrombelastbarkeit
- Ausgänge tolerant gegenüber negativen Transienten
- 10 V bis 20 V Low-Side-Gate-Treiber-Versorgungsspannung
- Kompatibel mit Logikeingang (HIN und LIN) 3,3 V
- Betriebstemperaturbereich -40 °C bis 125 °C Umgebungstemperatur
- Schmitt-Trigger-Logikeingänge mit internem Pull-Down
- Unterspannungssperre (UVLO) für High-Side- und Low-Side-Treiber
- SOIC (N) -8-Gehäuse auf Gurtverpackung
- RoHS-konform
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- AC/DC-Wechselrichter
- Motorsteuerung
- Leistungsverstärker der Klasse D
Applikations-Schaltung
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2025-02-14
| Aktualisiert: 2025-03-25