IXYS Rückwärtsleitende (BiMOSFET™) Hochspannungs-IGBTs

IXYS Rückwärtsleitende (BiMOSFET™) IGBTs mit 2.500 V bis 3.600 V der Höchstspannungs-Baureihe kombinieren die Stärke von MOSFETs sowie IGBTs. Diese Hochspannungs-Bauteile eignen sich dank des positiven Temperaturkoeffizienten sowohl der Sättigungsspannung als auch des Durchlass-Spannungsabfalls ihrer intrinsischen Diode hervorragend für einen parallelgeschalteten Betrieb. Die „freie“ intrinsische Bodydiode erfüllt die Funktion einer Schutzdiode, indem sie einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom während des Abschaltens des Geräts bietet. Dadurch können hohe Ldi/dt-Spannungstransienten und somit Schäden am Gerät verhindert werden.