ISSI IS25WP512M & IS25LP512M Serieller NOR-Flash
Der IS25WP512M & IS25LP512M serielle NOR-Flash von ISSI ist eine vielseitige Speicherlösung mit hoher Flexibilität und Leistung in einem Gehäuse mit vereinfachter Pinzahl. Das Bauteil ist für Systeme mit begrenztem Platz, einer niedrigen Pinzahl und geringem Stromverbrauch ausgelegt. Auf dieses Bauelement kann über eine Vierdraht-SPI-Schnittstelle zugegriffen werden, die aus einem seriellen Dateneingang (SI), einem seriellen Datenausgang (SO), einem seriellen Takt (SCK) und einem Chip-Enable-Pin (CE#) besteht, der auch als Multi-I/O konfiguriert werden kann. Das Bauelement unterstützt Dual- und Quad-I/O sowie Standard, Dual-Ausgang und Quad-Ausgang-SPI. Taktfrequenzen von bis zu 133 MHz ermöglichen gleichwertige Taktfrequenzen von bis zu 532 MHz (133 MHz x 4), was 66,5 Mbytes/s Datendurchsatz entspricht. Das Speicher-Array ist in programmierbare Seiten mit 256/512 Byte unterteilt.
Merkmale
- Serielle Schnittstelle nach Industriestandard
- IS25LP512M: 512Mbit/64Mbyte
- IS25WP512M: 512Mbit/64Mbyte
- 3 oder 4 Byte Adressierungsmodus
- Unterstützt Standard-SPI, Fast, Dual, Dual-I/O, Quad, Quad-I/O, SPI DTR, Dual-I/O-DTR, Quad-I/O-DTR und QPI
- Software- und Hardware-Reset
- Unterstützt Serial Flash Discoverable
- Parameter (SFDP)
- Serieller Hochleistungs-Flash (SPI)
- Lesen normal mit 80 MHz
- Schnelle Lesefähigkeit mit bis zu 133 MHz
- Bis zu 80 MHz DTR (Dual Transfer Rate)
- Äquivalenter Durchsatz von 532 MBit/s
- Wählbare Leerzyklen
- Konfigurierbare Treiberleistung
- Unterstützt SPI-Modi 0 und 3
- Mehr als 100.000 Lösch-/Programmierzyklen
- Datenhaltung von mehr als 20 Jahren
- Flexible und effiziente Speicherarchitektur
- Chip-Löschung mit einheitlicher Sektor/Blocklöschung (4/32/64 KB oder 4/32/256 KB)
- Programmieren von 1 bis 256 Byte oder 512 Byte pro Seite
- Program/Erase Unterbrechung und Wiederaufnahme
- Effiziente Lese- und Programmier-Modi
- Operationen mit geringem Befehls-Overhead
- Kontinuierliches Lesen 8/16/32/64-Byte
- Burst-Wrap
- Wählbare Burst-Länge
- QPI für reduzierten Befehls-Overhead
- AutoBoot-Betrieb
- Datenlernmuster für das Training im DTR-Betrieb
- Geringe Leistung bei großen Temperaturbereichen
- Einzelne Versorgungsspannung: IS25LP: 2,30 V bis 3,60 V und IS25WP: 1,65 V bis 1,95 V
- Aktiver Lesestrom von 7 mA
- 10 µA Standby-Strom
- 1 µA Deep-Power-Down-Funktion
- Temperaturbereiche:
- Erweitert: -40 °C bis +105 °C
- Automobilstandard (A3): -40 °C bis +125 °C
- Erweiterte Sicherheit
- Schreibschutz für Software und Hardware
- Fortgeschrittener Sektorschutz
- Schutz des oberen/unteren Blocks
- Sperrschutz für die Stromversorgung
- 4x256 Byte dedizierter Sicherheitsbereich mit benutzersperrbaren Bits und einmalprogrammierbarem Speicher (OTP)
- 128-Bit-Unique-ID für jedes Bauteil (Call Factory)
Applikationen
- Kombi-Instrumente
- Infotainment-Konsolen
- Telematik
- Sicherheitssysteme (FAS)
- Smart-TV-STB
- HDD
- Drucker
- Gaming
- Industriesteuerungen
- Medizinische Geräte
- Militär sowie Luft- und Raumfahrt
- Drahtlose Zugangspunkte
- Basisstationen für 4G LTE
- Router und Schalter
- Heimnetzwerke
- Energie/Smart-Stromnetz-Management
Blockdiagramm
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Veröffentlichungsdatum: 2018-12-14
| Aktualisiert: 2026-02-02