Infineon Technologies Solid-State-Isolatoren (SSI)
Infineon Technologies Solid-State-Isolatoren (SSI) bieten einen galvanisch getrennten Gate-Drive für verschiedene MOSFET und IGBT-Schalter in Halbleiterrelais(SSR)-Applikationen. Diese Bauteile ermöglichen die Erstellung von kundenspezifischen Halbleiterrelais, die Lasten über 1.000 V und 100 A steuern können. Die kernlosen Transformator(CT)-basierten Isolatoren ermöglichen die Übertragung von Energie über die Isolierungsbarriere und können große MOSFETs oder IGBTs ohne die zusätzliche Schaltung einer Stromversorgung auf der isolierten Seite ansteuern. Die innovativen Schutzfunktionen ermöglichen die Entwicklung von zuverlässigen und robusten SSRs.
Diese SSIs von Infineion ermöglichen eine leistungsstarke Energieübertragung über eine galvanische Isolierung, um Gates von MOS-gesteuerten LeistungsTransistoren wie CoolMOS™, OptiMOS™, CoolSiC™ oder TRENCHSTOP™ IGBT anzusteuern. Die Ausgangsseite der Produktfamilie von Halbleiter-Isolatoren benötigt keine separate Spannungsversorgung zum Ansteuern des Transistor-Gates. Die Ausgangsseite bietet erweiterte Steuerfunktionen wie schnelles Einschalten, schnelles Ausschalten, Überstromschutz und Übertemperaturschutz für einen einfachen/sicheren Aufbau von Halbleiterrelais für verschiedene Applikationen. Diese Produktfamilie umfasst den iSSI30R12H, der für CoolMOS™ S7 T-Sense Leistungs-MOSFETs ausgelegt ist, die einen integrierten Temperatursensor bieten. Andere Teile der Produktfamilie sind für den Einsatz mit externen PTC-Widerständen ausgelegt.
Präzise Schutzfunktionen werden für den Aufbau von kostengünstigen Systemen angeboten. Die Eingangsseite des Isolators ist 3,3 V-kompatibel und arbeitet mit einem Versorgungsstrom von 16 mA (typisch). Die Ausführungen iSSI20R02H, iSSI20R03H und iSSI20R11H sind in einem DSO-8-66-Gehäuse verfügbar, während die Ausführungen iSSI30R11H und iSSI30R12H in einem DSO-16-33-Gehäuse untergebracht sind.
Merkmale
- Halbleiter-Isolatoren, die die kernlose Transformator-Technologie des Infineon verwenden
- Für den Gate-Antrieb ist keine isolierte Gate-Vorspannungsversorgung erforderlich
- Perfekt geeignet für CoolMOS, OptiMOS und TRENCHSTOP IGBTs
- Geringer Stromverbrauch, großer Eingangsspannungsbereich von 2,6 V bis 3,5 V (intern geklemmt)
- Hohe Impedanz, CMOS-Eingang (gepufferte Varianten)
- Bis zu 18 V Ausgangsspannung, keine Serien- oder Parallelkonfiguration für leistungsstarke Gate-Ansteuerung erforderlich
- Hoher Ausgangsspitzenstrom
- 185 µA (Direktantriebsvarianten)
- 400 mA (gepufferte Varianten)
- Schnelles Ein-/Ausschalten für sicheren SOA-Betrieb der Schalter
- Galvanische Isolierung von bis zu 5,7 kV RMS
- Temperatursensor und Schutzeingänge für aktuellen Sensor
- Latch-off im Falle eines Ausfallereignisses (Überstrom oder Übertemperatur)
- Dynamischer Miller-Klemmschutz
- Breites Gehäuse mit hoher Kriechstrecke und Luftstrecke für UL 1.577 (geplant) und verstärkter Isolierung gemäß IEC 60747-17 (geplant)
- Reduziert den Bedarf an Kühlkörpern
- Verhindert das Einschalten von störenden Kontakten
Applikationen
- AC- und DC-Halbleiterrelais-Applikationen
- Elektromechanischer Relaisersatz
- Programmierbare Logik-Steuerung, Industrieautomatisierung und Steuerungen
- Smart-Gebäude- und Heimautomatisierungssysteme (thermostat, Beleuchtung, Heizungssteuerung)
- Messgeräte
Technische Daten
- Maximale Eingangs-zu-Ausgangs-Offsetspannung: ±1.200 V
- Maximale Eingangsversorgungsspannung: -10 V bis 4,25 V
- Maximale Eingangslogikspannung: -10 V bis 15 V
- Maximaler Eingangsversorgungsstrom: 0 mA bis 120 mA
- Maximaler Verlustleistungseingangsteil: 200 mW
- Maximaler Verlustleistungsausgangsteil: 4,5 mW
- Maximale Schaltfrequenz: 2 kHz
- Maximale flüchtige Gleichtaktsicherheit: 200V/ns
- Umgebungstemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
- Sperrschichttemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
- ESD-Robustheit
- Minimum Human Body Model (HBM): 2 kV
- TC 1000 Geladenes Bauelement Modell (CDM) gemäß ANSI/ESDA/JEDEC-JS-002-2014 (TC = höchste Prüfung Bedingung, die gemäß AEC-Q100-011 Rev D bestanden wurde)
Videos
Development Tools
Infineon Technologies EVAL-iSSI30R11H Evaluierungsboard
Evaluiert den SSI-Solid-State-Isolator und verfügt über zwei CoolMOS™ IPQC60R010S7-MOSFETs.
Infineon Technologies EVAL-iSSI30R12H Evaluierungsboard
Evaluiert den SSI30R12H drahtlosen SSI-Transformator-Solid-State-Isolator in einer Applikations-Schaltung.