Infineon Technologies Silicon-on-Insulator (SOI) -Gate-Treiber-ICs

Infineon Silicon-on-Insulator (SOI) Gate-Treiber-ICs sind Pegelverschiebungs-Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs für IGBTs und MOSFETs. Die SOI-Technologie ist eine Hochspannungs-Pegelverschiebungstechnologie, die einzigartige, messbare und erstklassige Vorteile bietet. Dazu gehören eine integrierte Bootstrap-Diode (BSD) und eine branchenführende Robustheit zum Schutz gegen negative Transientenspannungsspitzen. Jeder Transistor wird durch ein integriertes Siliziumdioxid isoliert, wodurch die parasitären bipolaren Transistoren, die ein Latch-up verursachen, eliminiert werden. Diese Technologie kann auch die Leistungsverluste durch die Pegelverschiebung verringern, um die Verlustleistung des Bauteils zu reduzieren. Der fortschrittliche Prozess ermöglicht eine monolithische Hochspannungs- und Niederspannungs-Schaltungsbauweise mit technologieverbesserten Vorteilen.

Diese Silicon-on-Isolator-Gate-Treiber umfassen die 2ED218x (Hochstrom 650 V, 2,5 A) und 2ED210x (Schwachstrom 650 V, 0,7 A) Halbbrücken-SOI-Gate-Treiber. Beide Bauteile enthalten zwei Gehäuseoptionen: DSO-8 und DSO-14.

Merkmale

Hauptvorteile der Infineon SOI-Technologie
- Immunität gegen negative Transientenspannung verhindert einen fehlerhaften Betrieb und Latch-up bei gleichzeitiger Verbesserung der Zuverlässigkeit
- Die integrierten Bootstrap-Dioden (BSD) mit niedrigem ohmschen Widerstand verfügen über die niedrigste Sperrverzögerung und die niedrigsten Durchlassverluste
- Höherer Wirkungsgrad, schnelleres Schalten, niedrigere Temperatur und erhöhte Zuverlässigkeit
- Minimale Pegelverschiebungsverluste verbessern den Treiberwirkungsgrad und ermöglichen flexible Gehäusedesigns
- Integrierte Eingangsfilter verbessern die Rauschimmunität
- Spannungsfestigkeit: 200 V, 600 V, 650 V und 1.200 V für jede Spannungsdesign-Klasse, die eine Betriebsmarge bietet