Infineon Technologies OptiMOS™ 3 n-Kanal-MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 3 n-Kanal-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem bleifreien SuperSO8-Gehäuse. Die OptiMOS 3 MOSFETs erhöhen die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent in Industrie-, Unterhaltungselektronik- und Telekommunikations-Applikationen.OptiMOS™ 3 ist in n-Kanal-MOSFETs von 40 V, 60 V und 80 V in SuperSO8- und Shrink-SuperSO8-Gehäusen (S3O8) verfügbar. Im Vergleich zu Standard-TO(Transistor Outline)-Gehäusen verbessern die SuperSO8-Produkte die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent.
Merkmale
- n-Kanal, normale Stufe
- Ausgezeichnetes Gateladungs-x-RDS(on)-Produkt (FOM)
- Sehr geringer Einschaltwiderstand RDS(on)
- Bleifreie Anschlussleitung, RoHS-konform
- Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
- Hervorragend geeignet für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
- Mit 175 °C eingestuft
Applikationen
- Schaltnetzteile (SNT)
- Motorsteuerung und -antriebe
- Umrichter
- Computer
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| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Vgs - Gate-Source-Spannung | Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung | Verpackung/Gehäuse |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ISC073N12LM6ATMA1 |  |
86 A | 7.3 mOhms | - 20 V, 20 V | 2.2 V | TDSON-8 |
| ISC104N12LM6ATMA1 | |
63 A | 10.4 mOhms | - 20 V, 20 V | 2.2 V | TDSON-8 |
| IPD048N06L3GATMA1 | |
90 A | 4.8 mOhms | - 20 V, 20 V | 1.2 V | DPAK-3 (TO-252-3) |
| IPD079N06L3GATMA1 | |
50 A | 7.9 mOhms | - 20 V, 20 V | 1.2 V | DPAK-3 (TO-252-3) |
| IPT030N12N3GATMA1 | |
237 A | 3 mOhms | - 20 V, 20 V | 4 V | |
| IPD220N06L3GATMA1 | |
30 A | 22 mOhms | - 20 V, 20 V | 2.2 V | DPAK-3 (TO-252-3) |
| ISC151N20NM6ATMA1 | |
74 A | 15.1 mOhms | - 20 V, 20 V | 3.7 V | TDSON-8 |
Veröffentlichungsdatum: 2019-03-25
| Aktualisiert: 2022-03-11