Infineon Technologies CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren
Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650-V-Leistungstransistoren verfügen über die hocheffiziente GaN(Galliumnitrid)-Transistor-Technologie für eine Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich bis 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Modus-Konzept mit hohen End-to-End-Produktionsvolumina zur Reife. Diese wegweisende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet die zuverlässigste Leistung. Die CoolGaN™ Gen 2 650-V-Anreicherungsmodus-Leistungstransistoren verbessern Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schnellem Schalten.
Merkmale
- Enhancement-Mode-Transistor, normalerweise OFF-Schalter
- Ultraschnelle Schaltung
- Keine Sperrverzögerungsladung
- Fähigkeit zur Rückleitung
- Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
- Überlegene Kommutierungsrobustheit
- Verbessert den Systemwirkungsgrad
- Verbessert die Leistungsdichte
- Ermöglicht eine hohe Betriebsfrequenz
- Reduzierung der Systemkosten
- Reduziert EMI
- Gehäuseoptionen
- PG-DSO-20
- PG-HDSOP-16
- PG-TSON-8
- ESD (HBM/CDM) JEDEC-Normen
- Bleifrei, halogenfrei und RoHs-konform
Applikationen
- Industrie
- Ladegeräte und Adapter, die auf Halbbrückentopologien basieren (Halbbrückentopologien für hartes und weiches Schalten wie Totem-Pol-PFC, Hochfrequenz-LLC)
- Telekommunikation
- Rechenzentrum SMPS
Technische Daten
- 1,6 V Gate-Source-Schwellenspannung
- -10 V Gate-Source-Spannung
- 650 V Drain-Source-Durchbruchsspannung
- 1,4 nC bis 16 nC Gate-Ladungsbereich
- 30 mΩ bis 330 mΩ RDS On-Drain-Source-Widerstandsbereich
- 7,2 A bis 67 A kontinuierlicher Drainstrombereich
- 28 W bis 219 W Verlustleistungsbereich
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2024-11-05
| Aktualisiert: 2026-02-24