Diodes Incorporated PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung

Diodes Incorporated PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung sind AEC-Q100-/101-/200-qualifizierte Transistoren. Diese Transistoren mit niedriger Sättigung sind PPAP-fähig und werden in IATF 16949-zertifizierten Anlagen hergestellt. Die PNP-Transistoren werden mit einer Gehäuse-Nenngröße von 0,6 mm geliefert und sind in einem U-DFN2020-3-Gehäuse verfügbar. Diese Transistoren mit niedriger Sättigung bieten ein statisches Durchlassstrom-Übertragungsverhältnis (h_FE), das bis zu -3 A/-5 V/-6 A für eine Überbrückung von hohen Stromverstärkungen spezifiziert ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Ladeschaltungen, Motorsteuerung und Leistungsschalter.