Diodes Incorporated MMBT4401 Bipolartransistor
Der Diodes Inc. MMBT4401 Bipolartransistor (BJT) mit epitaxialer planarer Düsenkonstruktion ist ein 40V-NPN-Kleinsignaltransistor. Der MMBT4401 ist nach AEC-Q101-Standards für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert und im SOT23-Gehäuse erhältlich. Dieser Transistor ist aus geformtem umweltfreundlichem Kunststoff hergestellt und entspricht der Entflammbarkeitsklasse UL94V-0. Der MMBT4401 verfügt über einen weiten Speicher- und Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C. Dieser BJT ist RoHS-konform. Der MMBT4401 Transistor ist ideal für Verstärker und Verstärker mit mittlerer Leistung.
Merkmale
- Epitaxial planar die construction
- Complementary PNP type is MMBT4403
- Totally lead-free and fully RoHS compliant
- Halogen and antimony free “Green” device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Production part approval process (PPAP) capable
Technische Daten
- 60V collector-base voltage
- 40V collector-emitter voltage
- 6.0V emitter-base voltage
- 1A peak collector current
- -55°C to +150°C operating and storage temperature range
- 6.5pF output capacitance
- 30pF input capacitance
Veröffentlichungsdatum: 2016-08-28
| Aktualisiert: 2022-03-11