Diodes Incorporated PI6CG338Q AECQ-Klasse 2 PCIe® 6.0 Taktgenerator
Der Diodes Incorporated PI6CG338Q AECQ-Klasse 2 PCIe 6.0 Taktgeber ist ein extrem stromsparender PCIe® (Gen 1 bis Gen 6) Taktgeber mit 8 Ausgängen. Der PI6CG338Q verwendet einen 25-MHz-Quarz oder eine CMOS-Referenz als Eingang zur Erzeugung der stromsparenden differenziellen HCSL-Ausgänge von 100 MHz mit On-Chip-Anschlüssen. On-Chip-Anschlüsse sparen 32x externe Widerstände und vereinfachen das Layout. Ein zusätzlicher gepufferter Referenzausgang (im Lieferumfang enthalten) dient als rauscharme Referenz für andere Schaltungen.
Der PI6CG338Q Taktgeber verwendet das proprietäre PLL-Design von Diodes, um einen sehr geringen Jitter zu erzielen, der die Anforderungen von PCIe Gen 1 bis Gen 6 erfüllt. Benutzer können das Bauteil mit verschiedenen Anstiegsraten- und Amplitudenoptionen über den SMBus einfach konfigurieren. Darüber hinaus unterstützt das Bauteil wählbare Frequenzspreizungsoptionen zur Reduzierung von EMI für mehrere Applikationen.
Merkmale
- 3,3 V Versorgungsspannung
- 25-MHz-Quarz/CMOS-Eingang
- 8 Stromsparende differenzielle HCSL-Ausgänge mit On-Chip-Anschluss
- Individuelle Ausgangsaktivierung
- Referenz-CMOS-Ausgang
- Programmierbare Anstiegsrate und Ausgangsamplitude für jeden Ausgang
- Differential-Ausgänge werden blockiert, bis der PLL verriegelt ist
- Wählbare 0 %-, -0,25 %- oder -0,5 %-Spreizung auf Differential-Ausgängen
- Bandpins oder SMBus zur Konfiguration
- Differentieller Versatz zwischen Ausgängen von <60 ps
- Konform mit PCIe Gen 1/Gen 2/Gen 3/Gen 4/Gen 5/Gen 6
- Ausgänge mit sehr geringem Jitter
- PCIe 6.0 Gleichtakt-Jitter (RMS) von <0,04 ps
- Differentieller Zyklus-zu-Zyklus-Jitter von <50 ps
- Unterstützt Automobilstandard 2
- Vollständig RoHS-konform und völlig bleifrei
- Halogen- und antimonfreies umweltfreundliches Bauteil
- Geeignet für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Änderungssteuerung erfordern; AEC-Q100-qualifiziert, PPAP-fähig und in IATF 16949-zertifizierten Anlagen hergestellt
- 48 Kontacte, 6 mm × 6 mm Gehäuse (ZLW)
Technische Daten
- Stromversorgungsspannungsbereiche
- 3,3135 V bis 3,465 V
- 1,0 V bis 3,465 V Ausgang
- 3,135 V bis 3,465 V Referenzausgang
- Stromversorgungsbereiche, alle Ausgänge aktiv bei 100 MHz
- 32 mA max., 20 mA typisch
- 25 mA maximal analog, 22 mA typisch
- 34 mA max. für Ausgänge, 29 mA typisch
- Stromversorgung Wake-On-LAN-Strom
- 1 mA maximal analog, 0,5 mA typisch
- 6 mA max., 3 mA typisch
- 0,1 mA max. für Ausgänge, 0,04 mA typisch
- Abschaltstrom des Netzteils
- 1 mA xaximal analog, 0,5 mA typisch
- 2 mA max., 1 mA typisch
- 0,1 mA max. für Ausgänge, 0,05 mA typisch
- Eingang
- 120 kΩ typischer interner Pull-Up/-Down-Widerstand
- 8 pF typische interne Kapazität
- 7 nH maximale Kontaktinduktivität
- Quarz
- Grundlegender Betriebsmodus
- 25 MHz typische Frequenz
- 50 Ω maximaler äquivalenter Serienwiderstand
- 8 pF typische Belastungskapazität
- 7 pF maximale Parallelkapazität
- 200 µW maximaler Antriebsgrad
- SMBus
- 2,7 V bis 3,6 V Bus-Nennspannungsbereich
- 4 mA minimaler Senkenstrom
- 0,4 V maximale Ausgangsniederspannung
- 500 kHz maximale Betriebsfrequenz
- 1000 ns maximale Anstiegszeit
- 300 ns maximale Abfallzeit
- Frequenzbereich: 30 kHz bis 33 kHz Frequenzspreizungsmodulation
- LVCMOS DC-Eigenschaften
- ±5 µA bis ±50 µA Eingangsstrombereich
- 20 Ω typische CMOS-Ausgangsimpedanz
- 1,5 pF bis 5 pF Eingangskapazität
- LVCMOS AC-Eigenschaften
- 25 MHz typische Eingangsfrequenz
- 5 ns maximale Anstiegs-/Abfallzeit
- 1 ms maximale Taktstabilisierung, 0,75 ms typisch
- Temperaturen
- -40 °C- bis +105 °C Umgebungsbereich
- +125 °C maximale Sperrschicht
- 2000 V maximaler ESD-Schutz (HBM)
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2023-10-18
| Aktualisiert: 2023-10-26