Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ Niederspannungs-Avalanche-Transistor
Der Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ Niederspannungs-Avalanche-Transistor ist ein planarer Silizium-Bipolartransistor, der für den Betrieb im Avalanche-Modus ausgelegt ist. Eine enge Prozesssteuerung und ein Gehäuse mit niedriger Induktivität erzeugen Hochstrom-Impulse mit schnellen Flanken. Dieser bipolare Sperrschichttransistor (BJT) von Diodes Incorporated ist zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt.
Merkmale
- IUSB = 35 A (typisch)
- BVCBO >80 V
- BVCEO: > 15 V
- Speziell für den Betrieb im Niederspannungs-Avalanche-Modus ausgelegt
- Gehäuse mit niedrigem Profil von 0,62 mm für dünne Applikationen
- Seitenwandverzinnung für benetzbare Flanken in AOI
- Bleifrei und RoHs-konform
- Halogen- und antimonfreies umweltfreundliches Bauteil
- Der FMMT411FDBWQ eignet sich für Fahrzeuganwendungen, die eine spezielle Änderungssteuerung erfordern.
- AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und wird in IATF 16949 zertifizierten Anlagen hergestellt
Technische Daten
- W-DFN2020-3/SWP (Typ A) Gehäuse
- Nominale Gehäusehöhe von 0,62 mm
- Das Gehäusematerial ist geformter Kunststoff mit umweltfreundlicher Formkomponente. Brennbarkeitsklasse: UL-94V-0
- Feuchteempfindlichkeit 1 gemäß J-STD-020
- Die Anschlüsse sind matt verzinnt und lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208
- Gewicht (0,01 Gramm) (ungefähr)
Applikationen
- Laserdioden-Treiber für Entfernung und Messung (LIDAR)
- Radarsysteme
- Schnelle Edge-Schaltgeneratoren
- Hochgeschwindigkeits-Impulsgeneratoren
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2022-11-16
| Aktualisiert: 2022-11-23