Diodes Incorporated DXTN80x NPN-Bipolartransistoren
Die NPN-Bipolartransistoren DXTN80x von Diodes Incorporated bieten einen kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI® -3333-8-Paket, das Endprodukte mit höherer Dichte ermöglicht. Die Bauteile liefern eine Kollektor-Emitter- Spannung von > 30 V, 60 V oder 100 V und eine Emitter-Basis-Spannung von > 8 V. Der DXTN80x ist ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen, mit einer Temperaturbewertung von +175 °C. Die NPN-Bipolartransistoren DXTN80x von Diodes Inc. eignen sich hervorragend für Motoren, Solenoide, Relais und Aktuator-Treibersteuerungen.
Merkmale
- BVCEO >30 V, 60 V oder 100 V
- BVEBO >8 V
- Dauerstrom IC von 5,5 A bis 10 A
- Spitzenimpulsstrom ICM von 10 A bis 20 A
- Ultra-niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) <30 mv="" bei="" 1="" a,="">< 40="" mv="" bei="" 1="" a="" oder=""><;45 mv="" bei="" 1="">
- Hochstrom RCE(sat) = 12 mΩ, 16 mΩ oder 23 mΩ typisch
- Kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
- Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
- Für +175 °C ausgelegt; ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen
- Bleifreie Ausführung; RoHS-konform
- Halogen- und antimonfrei – „Grünes“ Gerät
Applikationen
- MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber
- Last-Schalter
- Niederspannungsregulierung
- DC/DC-Wandler
- Motoren, Solenoide, Relais und Steuerungen für Stellantriebe
Technische Daten
- PowerDI 3333-8-Gehäuse
- Gehäusematerial aus geformtem Kunststoff, „grüne“ Formmasse, UL-Brennbarkeitsklasse 94V-0
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit der Stufe 1 pro J-STD-020
- Oberfläche – matte Zinnanschlüsse, lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208
Weitere Ressourcen
Zugeordnete Bipolartransistoren
Diodes Incorporated DXTP80x PNP-Bipolartransistoren
Die PNP-Bipolartransistoren bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI-3333-8-Gehäuse.
Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-09
| Aktualisiert: 2025-09-17