Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET
Der MOSFET DMN3012LEG von Diodes Incorporated ist ein synchroner n-Kanal-Anreicherungstyp-30-V-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltgeschwindigkeit. Dieser RoHS-konforme MOSFET bietet eine niedrige Eingangskapazität und eine verbesserte Zuverlässigkeit mit Prüfung auf 100%ige UIS-Robustheit (Unclamped Inductive Switching, Schalten induktiver Lasten ohne Klemmung) während der Produktion. Der MOSFET DMN3012LEG verfügt über ein LDMOS-Design (Laterale doppeldiffundierte Metalloxidhalbleiter, LDMOS), das Leistungsverluste reduziert und für hohe Leistungsdichte, einen hohen Wirkungsgrad sowie hohe Frequenzbelastbarkeit optimiert ist. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für DC/DC-Wandler und hocheffiziente Leistungsmanagement-Applikationen.
Merkmale
- 100 % Unclamped Inductive Switch (UIS) während der Produktion
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Niedrige Eingangskapazität
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Bleifreie Ausführung
- 95 % Spitzenleistungs-Wirkungsgrad
- Verbesserte Leistung bei geringer Last
- Reduzierte Systemtemperatur
- Verbesserte Zuverlässigkeit
- RoHS-konform
Technische Daten
- Drain-Source-Widerstand: 12 mΩ
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- Verlustleistung: 2,2 W
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Leistungsmanagementfunktionen
- Optimiert für 5-V-Gate-Drive-Applikationen
Schaltplan
Leistungsbenchmark-Diagramm
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-08
| Aktualisiert: 2024-08-01