Diodes Incorporated DMN601WKQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Die n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs DMN601WKQ von Diodes Inc. sind gegen elektrostatische Entladungen (ESD) geschützt und bieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen On-Widerstand (RDS(ON)), eine niedrige Schwellwertspannung, eine niedrige Eingangskapazität und einen niedrigen Eingangs-/Ausgangsableitstrom. Die Einstufung der Feuchtigkeitsempfindlichkeit von diesen MOSFETs beträgt 1 gemäß J-STD-020. Die DMN601WKQ MOSFETs sind PPAP (Produktionsteil-Abnehmverfahren)-fähig und nach AEC-Q101 qualifiziert. Diese MOSFETs sind frei von Blei, Antimon und Halogen und sind in einem S0T323-Gehäuse erhältlich.
Merkmale
- Niedriger On-Widerstand
- Niedrige Gatter-Schwellspannung
- Niedrige Eingangskapazität
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringer Eingangs- und Ausgangs-Ableitstrom
- Vor elektronischer Entladung geschütztes Gatter
- Bleifrei
- RoHS-konform
- Halogen- und antimonfrei
- Qualifiziert nach AEC-Q101 für hohe Zuverlässigkeit
- PAAP-fähig
Abmessungen DMN601WKQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2016-07-04
| Aktualisiert: 2022-03-11