Analog Devices Inc. ADuM4146 Hochspannungsisolierter Bipolarer Gate-Treiber
Der isolierte Hochspannungs-Bipolar-Gate-Treiber ADuM4146 von Analog Devices Inc. ist für die Ansteuerung von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) aus Siliziumkarbid (SiC) optimiert. Der ADuM4146 ist mit der iCoupler®-Technologie ausgestattet, die eine Isolierung zwischen dem Eingangssignal und dem Ausgangs-Gate-Drive gewährleistet. Das Bauteil enthält eine Miller-Klemme, die eine robuste SiC-Abschaltung mit einer Einspurversorgung ermöglicht, wenn die Gate-Spannung auf weniger als 2 V abfällt. Der Betrieb mit unipolaren oder bipolaren Sekundärversorgungen ist mit oder ohne Miller-Clamp-Betrieb möglich.
Der ADuM4146 Gate Treiber enthält Transformatoren im Chipmaßstab, die eine isolierte Kommunikation von Steuerinformationen zwischen den Hochspannungs- und Niederspannungsdomänen des Chips ermöglichen. Informationen über den Status des Chips können über dedizierte Ausgänge zurückgelesen werden. Die Steuerung der Rückstellung des Bauteils nach einem Fehler auf der Sekundärseite erfolgt auf der Primärseite des Geräts.
Der ADuM4146 verfügt über eine Entsättigungserkennungsschaltung, die einen Schutz gegen Hochspannungskurzschlüsse im SiC-Betrieb bietet. Der Entsättigungsschutz enthält rauschmindernde Funktionen, wie z. B. eine Maskierungszeit von 300 ns nach einem Schaltvorgang, um Spannungsspitzen aufgrund des anfänglichen Einschaltens zu maskieren. Eine optionale interne 500-μA-Stromquelle ermöglicht eine geringe Anzahl von Bauteilen, und der interne Austastschalter ermöglicht die Hinzufügung einer externen Stromquelle, wenn eine höhere Störfestigkeit erforderlich ist.
Die sekundäre Unterspannungsabschaltung (UVLO) ist auf 14,5 V (typisch) für Klasse A und auf 11,5 V (typisch) für Klasse B und Klasse C eingestellt, wobei die üblichen SiC- und IGBT-Pegel berücksichtigt werden.
Der isolierte bipolare Hochspannungs-Gate-Treiber ADuM4146 von Analog Devices Inc. wird in einem 16-poligen Small-Outline-Wide-Body-Gehäuse (SOIC_W) angeboten und hat einen Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +125°C.
Merkmale
- 11 A Kurzschluss-Quellenstrom (0 Ω Gate-Widerstand)
- 9 A Kurzschluss-Senkenstrom (0 Ω Gate-Widerstand)
- 4,61 A Spitzenstrom (2 Ω Gate-Widerstand)
- <1 Ω Ausgangsleistung Gerätewiderstand
- Ausgangsspannungsbereich bis zu 30 V
- Mehrere UVLO-Optionen auf VDD2
- Klasse A: 14,5 V (typisch) UVLO bei positivem Schwellenwert für VDD2
- Klasse B und Klasse C: 11,5 V (typisch) UVLO bei positivem Schwellenwert von VDD2{sp}
- VDD1 Eingangsspannungsbereich von 2,5 V bis 6 V
- Miller-Klemmen-Ausgang mit Gate-Sensor-Eingang
- Entsättigungsschutz
- Sanfte Abschaltung bei Entsättigungsfehler
- Mehrere Komparatorspannungen zur Erkennung von Sättigung
- Klasse B: 9,2 V (typisch)
- Klasse A und Klasse C: 3, 5V (typisch)
- Isolierte Fehler- und Bereitschaftsfunktionen
- Geringe Ausbreitungsverzögerung von 75 ns (typisch)
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
- 8,3 mm Mindestkriechstrecke
- 100-kV/μs-CMTI
- Sicherheitszertifizierungen und behördliche Zulassungen
- 5.000 Vrms für 1 Minute gemäß UL 1577
- CSA Component Acceptance Notice 5A
- DIN V VDE V 0884-11
- VIORM = 2.150 V Spitze
- SOIC-16 Wide-Body-Gehäuse
Applikationen
- SiC MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber
- Photovoltaik-(PV)-Umrichter
- Motorantriebe
- Netzteile
Ressourcen
Videos
Development Tools
Analog Devices Inc. ADuM4146 Evaluierungsboards
Demonstrations- und Entwicklungsplattformen für den ADuM4146 isolierten bipolaren Hochspannungs-Gate-Treiber.
Blockdiagramm
Typische Applikations-Schaltung
Gehäuseabmessungen
