Analog Devices Inc. ADuM4136 Gate-Treiber

Analog Devices ADuM4136 Hochspannungs-Gate-Treiber sind isolierte Einkanal-Gate-Treiber-Bipolartransistoren (IGBTs), die mit bis zu 35 V betrieben werden können. Basierend auf der iCoupler®-Technologie von Analog Devices bietet der ADuM4136 eine Isolierung zwischen dem Eingangssignal und dem Ausgangs-Gate-Drive. Die Gate-Treiber können unipolare oder bipolare Sekundärversorgungen verwenden. Mit einer Dual-Schienenversorgung kann die negative Schiene des ADuM4136 bei Bedarf mit nur -15 V betrieben werden. Dadurch wird ein robustes Abschalten des IGBT ermöglicht.

Darüber hinaus bieten die Chip-Scale-Transformer des ADuM4136 eine isolierte Kommunikation der Steuerungsinformation von den Hochspannungs- und Niederspannungsbereichen des Chips. Dedizierte Ausgänge ermöglichen ein Zurücklesen der Informationen über den Chip-Status. Ein integrierter Entsättigungserkennungsschaltkreis schützt vor einem Kurzschlussbetrieb des IGBT bei hoher Spannung. Der Entsättigungsschutz des Bauteils umfasst rauschdämpfende Funktionen wie z. B. eine Maskierungszeit von 312 ns nach einem Schaltvorgang, um Spannungsspitzen bei der Inbetriebnahme zu maskieren. Ein interne 537-µA-Stromquelle ermöglicht eine geringe Anzahl Komponenten. Der interne Austastschalter des ADuM4136 ermöglicht das Hinzufügen einer externen Stromquelle für den Fall, dass eine zusätzliche Störfestigkeit erforderlich ist. Die sekundäre UVLO des Gate-Treibers ist auf 12 V unter Berücksichtigung gängiger IGBT-Schwellenwerte eingestellt. Die ADuM4136 isolierten Hochspannungs-IGBT-Gate-Treiber eignen sich hervorragend für MOSFET-/IGBT-Gate-Treiber, PV-Wechselrichter, Motorantriebe und Netzteile.

Der Adum4136 ist in einem breiten 16-Pin-SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit, SOIC) untergebracht und ist RoHS-konform.

Merkmale

Maximale Treiberausgangsleistung von 4 A
Ausgangsleistungswiderstand des Bauteils: <1 Ω
Entsättigungsschutz
- Isolierte Fehlermeldung
- Sanftes Abschalten bei Fehlern
Isolierte Fehler- und Bereitschaftsfunktionen
Niedrige Ausbreitungsverzögerung: 55 ns (typisch)
Minimale Pulsbreite: 50 ns
Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
Ausgangsspannungsbereich von bis zu 35 V

Eingangsspannungsbereich von 2,5 V bis 6 V
Ausgangs- und Eingangs-Unterspannungssperre (UVLO)
Kriechstrecke: mind. 7,8 mm
Hohe flüchtige Gleichtaktsicherheit (CMTI) von 100 kV/μs (mind.)
Lebensdauer von 20 Jahren für 600 Vrms oder 1.092 Vdc Betriebsspannung
5 kV AC für 1 Minute gemäß UL 1577
CSA Component Acceptance Notice 5A
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- V_IORM= 849 V Spitze (Basis)
Gehäuseausführung: SOIC_W-16

Videos

Blockdiagramm

Additional Resources

Energy Storage Systems Boost the Electric Vehicles' Fast Charger Infrastructure

To address the challenges of the future DC fast charging infrastructure, the critical aspects will be in the power conversion systems and the energy storage systems. Address these challenges with solutions from ADI.

Learn More