
Analog Devices Inc. ADuM4120 und ADuM4121 Isolierte Gate-Treiber
Analog Devices ADuM4120/ADuM4121 isolierte Präzisions-Gatetreiber sind 2A-Einkanal-Treiber, die eine echte galvanische Trennung zwischen dem Eingang und dem Ausgang bieten. Die Gate-Treiber arbeiten mit Eingangssignalen von 2,5 V bis 6,5 V, um die Kompatibilität mit Systemen mit niedrigerer Spannung zu gewährleisten. Die ADuM4120/ADuM4121 Gate-Treiber können bei Ausgangsspannungen von bis zu 35 V betrieben werden.Die Treiber sind mit der iCoupler-Technologie ausgelegt und bieten eine präzise Isolierung von 5 kVrms in einem breiten 6-Pin-SOIC-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 8 mm. Die Hochgeschwindigkeits-CMOS- und monolithische Transformatortechnologie von ADuM4120/ADuM4121 ermöglicht den Gate-Treibern eine zuverlässige Steuerung der IGBT/MOSFET-Schalteigenschaften über einen großen Schaltspannungsbereich. Die hohe Gleichtaktsicherheit (CMTI) und die robuste Treiberstärke machen die ADuM4120/ADuM4121 zu einer hervorragenden Option für schnelle Schalttechnologien.
Merkmale
- 2,3 A Spitzenausgangsstrom (<2 Ω RDSON_x)
- 2,5 V bis 6,5 V VDD1-Eingang
- 4,5 V bis 35 V VDD2-Ausgang
- (ADuM4120) UVLO bei 2,3 VDD1
- (ADuM4121) UVLO bei 2,5 V VDD1
- Mehrere UVLO-Optionen auf VDD2
- Klasse A—4,4 V (typisch) positiver Going-Schwellenwert
- Klasse B—7,3 V (typisch) positiver Going-Schwellenwert
- Klasse C—11,3 V (typisch) positiver Going-Schwellenwert
- Präzises Zeitverhalten
- 79 ns maximale Isolator- und Treiber-Laufzeitverzögerungen mit fallender Flanke (ADuM4120)
- CMOS-Eingangslogikebenen
- Hohe Gleichtaktsicherheit: 150 kV/μs
- Standardmäßig niedriger Ausgang
- 79 ns maximale Isolator- und Treiber-Laufzeitverzögerungen mit fallender Flanke (ADuM4121)
- Hoher Sperrschichttemperaturbetrieb: 125 °C
- Sicherheitszertifizierungen und behördliche Genehmigungen (beantragt)
- UL-Zulassung für UL 1577
- 5 kVrms für 1 Minute, langes SOIC-Gehäuse
- CSA Component Acceptance Notice 5 A
- VDE-Konformitätszertifikat (ausstehend)
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM = 849 V Spitze
- 8 mm Kriechstrecke
- Breites 16-Pin-SOIC-Gehäuse mit erhöhtem Kriechstrom
Applikationen
- Schaltnetzteile
- IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber
- Industrie-Wechselrichter
- Galliumnitrid-(GaN)-/Siliziumcarbid-(SiC)-Leistungselemente
Veröffentlichungsdatum: 2017-10-23
| Aktualisiert: 2022-04-26