Microsemi / Microchip Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

Microsemi/Microchip Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs bieten eine bessere dynamische und thermische Performance als herkömmliche Silizium(Si)-Leistungs-MOSFETs.Diese MOSFETs sind mit niedrigen Kapazitäten, einer niedrigen Gate-Ladung, einer hohen Schaltgeschwindigkeit und einer guten Avalanche-Robustheit verfügbar. Die SiC-MOSFETs ermöglichen einen stabilen Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringen Schaltverlusten. Die SiC-MOSFETs benötigen keine Freilaufdioden und verringern die Systemkosten. Zu den typischen Applikationen gehören intelligente Stromnetzübertragung und -verteilung, Induktionserwärmung und Schweißen sowie Stromversorgung und -verteilung.