MACOM Wolfspeed CGHV96100F2 GaN-HEMT

Der CGHV96100F2 GaN-HEMT auf Siliziumkarbid(SiC)-Substraten von Wolfspeed ist ein intern abgestimmter (Internally Matched, IM) GaN-FET, der einen hervorragenden leistungserweiterten Wirkungsgrad im Vergleich zu anderen Technologien bietet. GaN hat bessere Eigenschaften als Silizium oder Gallium-Arsenid, einschließlich eine höhere Durchschlagspannung, gesättigte Elektronen-Drift-Geschwindigkeit und Wärmeleitfähigkeit. Darüber hinaus bieten GaN-HEMTs eine höhere Leistungsdichte und größere Bandbreiten im Vergleich zu GaAs-Transistoren. Dieser IM-FET ist in einem Metall-/Keramik-Flanschgehäuse für eine optimale elektrische und thermische Leistung erhältlich.