Littelfuse LFUSCD SiC-Schottky-Dioden

Die Littelfuse LFUSCD SiC-Schottky-Dioden haben einen Sperrverzögerungsstrom von nahezu null, ein hohes Ableitvermögen und eine maximale Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C. Die LFUSCD sind ideal für Applikationen, bei denen eine Verbesserung der Effizienz, Zuverlässigkeit und des Wärmemanagements erwünscht ist. Typische Applikationen sind stärkere Dioden in Blindleistungskompensation, Schaltnetzteile, unterbrechungsfreie Stromversorgung, Solar-Umrichter und industrielle Motorantriebe.

Merkmale

  • Extrem niedrige kapazitive Speicherladung und ein Sperrverzögerungsstrom von nahezu null
  • Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175°C
  • Vorteile der fusionierten p-n Schottky (MPS) Gerätearchitektur
  • Geeignet für Hochfrequenz-Schaltnetzteile, vernachlässigbare Schaltverluste, reduzierte Belastung am gegenüberliegenden Schalter
  • Höhere Designmarge und unkompliziertere Temperaturmanagementanforderungen.
  • Besseres Ableitvermögen und extrem niedriger Ableitstrom

Applikationen

  • Blindleistungskompensation (PFC)
  • Abwärts- oder Aufwärtsmodus bei DC-DC-Wandlern
  • Freilaufdioden in Umrichtern (Schaltnetzteile, Solar-Wechselrichter, UPSs, Industrieantriebe)
  • Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung

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Umgekehrte Wiederherstellung

Littelfuse LFUSCD SiC-Schottky-Dioden
Veröffentlichungsdatum: 2016-04-12 | Aktualisiert: 2024-07-02