IXYS Leistungs-MOSFETs
IXYS Leistungs-MOSFETs sind für HF-Applikationen unter 100 MHz, lineare Applikationen sowie Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen ausgelegt. Um den vielfältigen Marktanforderungen, elektrischen Designanforderungen und mechanischen sowie Bestückungsvorgaben gerecht zu werden, sind diese Leistungs-MOSFETs in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen im Industriestandard verfügbar.
Merkmale
- Für HF- und Hochgeschwindigkeits-Schaltungen ausgelegt
- Hohe Leistungsdichte
- Einfach Montage, keine Isolatoren erforderlich
- Hervorragende Wärmeübertragung
- Spannungsbereich (VDSS) von 100 V bis 1.200 V
- Strombereich (ID) von 9 A bis 60 A
- RDSON von 0,038 Ω bis 7,8 Ω
- Betriebsmodus-Optionen:
- Schaltung
- Linear
Associated Products
IXYS SiC-Dioden und Gleichrichter
Extrem schnellschaltende Bauteile mit Null-Sperrverzögerung und temperaturunabhängigem Verhalten.
Veröffentlichungsdatum: 2017-10-13
| Aktualisiert: 2022-03-31