Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 F5 Diskrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Diskrete IGBTs sind für Schaltapplikationen von >60 kHz optimiert, um einen optimalen Wirkungsgrad zu ermöglichen und die Lücke zwischen MOSFETs und IGBTs zu schließen. Die F5-Baureihe bietet deutlich geringere Schaltverluste im Vergleich zu den derzeit führenden Lösungen. Die F5-Baureihe zielt auf Topologien wie Aufwärtsstufen, PFC-(AC/DC)-Stufen und Hochspannungs-DC/DC-Topologien ab, die in Applikationen wie z. B. unterbrechungsfreien Stromversorgungen, USV, invertierenden Schweißmaschinen und Schaltnetzteile (SNT) zu finden sind. Die TRENCHSTOP™ 5 F5 650-V-IGBTs sind für Designs mit niedriger Induktivität in Kombination mit SiC-Dioden ausgelegt und bieten einen um 1 % höheren Wirkungsgrad als die TRENCHSTOP™ 5 H5 650-V-Produktfamilie. Die F5-Produkte erfordern einen höheren Designaufwand, aber der Mehraufwand lohnt sich.